[发明专利]包括坩埚和调节构件的拉晶系统和方法有效
| 申请号: | 201810008152.4 | 申请日: | 2018-01-04 |
| 公开(公告)号: | CN108265328B | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
| 发明(设计)人: | S·塞佩达;R·J·菲利普斯;C·V·吕尔斯;S·L·金贝尔;H·W·科布;J·D·霍尔德;C·M·哈德森;H·斯里达哈拉默西;S·哈灵格尔;M·萨多尼 | 申请(专利权)人: | 各星有限公司 |
| 主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 俞翠华 |
| 地址: | 中国香港九龙柯士甸道西1号,*** | 国省代码: | 香港;81 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 包括 坩埚 调节 构件 晶系 方法 | ||
1.一种用于从熔体形成锭的系统,所述系统包括:
限定了用于接收熔体的空腔的坩埚;
设置在所述空腔中以限制所述熔体移动的第一屏障,所述坩埚和所述第一屏障形成外区,所述第一屏障包括第一通道;和
设置在所述空腔中的第二屏障,用于限制所述熔体从所述第二屏障的外部移动到所述第二屏障的内部,所述第一屏障和所述第二屏障限定了在二者之间的过渡区,所述第二屏障形成内区并且包括第二通道,其中所述第一通道和所述第二通道布置成允许位于所述外区内的熔体移动到所述过渡区以及穿过所述过渡区进入所述内区;和
安置在第一屏障和第二屏障之间的过渡区中的调节构件,所述调节构件布置成接触所述过渡区中的熔体并减少熔体中的微空隙的数量,所述调节构件包括实体。
2.根据权利要求1所述的系统,其中所述调节构件包括由石英构造而成的实体。
3.根据权利要求1所述的系统,还包括安置在所述过渡区中并布置成支撑所述过渡区内的所述调节构件的间隔件。
4.根据权利要求1所述的系统,其中所述第一通道和所述第二通道位于所述坩埚的基部附近。
5.根据权利要求1所述的系统,其中所述第一通道和所述第二通道中的至少一个位于熔体的表面附近。
6.一种用于从熔体形成锭的系统,所述系统包括:
限定了用于接收熔体的空腔的坩埚组件,其中所述空腔被分成内区,外区和过渡区,其中所述内区限定了所述锭的生长区;
给料器系统,用于将固体给料材料输送到所述空腔中,其中布置固体给料材料以形成熔体;和
安置在空腔的外区中的实体,其中实体布置成接触熔体和固体给料材料并减少熔体中的微空隙的数量。
7.根据权利要求6所述的系统,其中所述坩埚组件包括形成所述外区的第一坩埚和第二坩埚,所述第二坩埚包括贯穿其中以允许位于所述外区内的熔体向所述内区移动的通道。
8.根据权利要求7所述的系统,其中所述实体于由熔体的表面限定的熔体线处安置在从所述第一坩埚到所述第二坩埚的外区各处,从而当所述固体给料材料熔化时,熔体接触所述实体。
9.根据权利要求8所述的系统,其中所述实体进一步布置成延伸到所述熔体线之上。
10.根据权利要求8所述的系统,其中所述实体进一步布置成延伸到所述熔体线之下。
11.根据权利要求7所述的系统,其中所述坩埚组件包括形成所述内区的第三坩埚,所述过渡区由所述第三坩埚和所述第二坩埚形成。
12.根据权利要求6所述的系统,其中所述坩埚组件包括分隔所述外区,所述过渡区和所述内区的堰,所述堰包括贯穿其中的通道以允许位于所述外区内的熔体移动到所述内区中,其中所述内区限定了所述锭的生长区,所述实体位于所述外区中。
13.根据权利要求6所述的系统,其中所述实体包括石英以防止熔体的污染。
14.根据权利要求6所述的系统,还包括安置在所述外区中并被布置成支撑所述外区内的所述实体的间隔件。
15.根据权利要求6所述的系统,其中,所述实体包括以下形状中的至少一种:立方体、圆锥体、圆柱体、球体、棱柱体和金字塔形。
16.根据权利要求6所述的系统,其中所述实体具有不均匀的形状。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于各星有限公司,未经各星有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810008152.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种用于制备磷化铟单晶的高压炉
- 下一篇:一种定点定域激光剥离装置





