[发明专利]半导体封装装置及制造半导体封装装置的方法

权利要求书

1.一种半导体封装装置，其包括：

衬底；

封装主体，其安置在所述衬底上，所述封装主体具有第一部分及安置在所述第一部分上面的第二部分；

导电层，其安置在所述封装主体的所述第一部分上且电连接到所述衬底；

介电层，其安置在所述导电层上；

磁性层，其安置在所述介电层上；

第一绝缘层，其安置在所述磁性层上；以及

线圈，其安置在所述第一绝缘层上，其中所述线圈具有与所述磁性层电连接的第一端子。

2.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中所述线圈进一步包括通过第一导电组件与所述衬底电连接的第二端子，且其中所述第一导电组件与所述磁性层、所述介电层及所述导电层间隔开。

3.根据权利要求2所述的半导体封装装置，其中所述导电层通过所述封装主体的所述第一部分内的第二导电组件与所述衬底电连接，所述第一导电组件安置在所述封装主体的所述第二部分中，且所述线圈的所述第二端子经由所述第一导电组件及所述封装主体的所述第一部分内的第三导电组件与所述衬底电连接。

4.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其进一步包括安置在所述衬底上且由所述封装主体的所述第一部分囊封的电子组件。

5.根据权利要求4所述的半导体封装装置，其中所述线圈、所述磁性层、所述介电层及所述导电层均在所述电子组件上面且由所述封装主体的所述第二部分囊封。

6.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中所述磁性层的部分从所述第一绝缘层暴露，且所述线圈的所述第一端子与所述磁性层的所述暴露部分电连接。

7.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中所述封装主体的所述第一部分及所述封装主体的所述第二部分是在单个过程中形成。

8.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中所述线圈的所述第一端子及所述导电层为电容耦合。

9.一种半导体封装装置，其包括：

衬底；

封装主体，其安置在所述衬底上，所述封装主体具有第一部分及在所述第一部分上面的第二部分；

第一导电层，其安置在所述封装主体的所述第一部分上且电连接到所述衬底；

介电层，其安置在所述第一导电层上；

第二导电层，其安置在所述介电层上；

线圈，其安置在所述第二导电层上方，其中所述线圈具有与所述第二导电层电连接的第一端子；以及

第一绝缘层，其介于所述线圈与所述第二导电层之间。

10.根据权利要求9所述的半导体封装装置，更包括磁性层，其设置在所述第一导电层上与所述线圈之间。

11.根据权利要求10所述的半导体封装装置，其进一步包括：

第二绝缘层，其介于所述磁性层与所述线圈之间。

12.根据权利要求10所述的半导体封装装置，其中所述第二导电层的部分从所述磁性层暴露，且所述线圈的所述第一端子与所述第二导电层的所述暴露部分电连接。

13.根据权利要求9所述的半导体封装装置其中所述线圈进一步包括通过第一导电组件与所述衬底电连接的第二端子，且其中所述第一导电组件与所述介电层、所述第一导电层及所述第二导电层间隔开。

14.根据权利要求13所述的半导体封装装置，其中所述第一导电层通过所述封装主体的所述第一部分内的第二导电组件与所述衬底电连接，所述第一导电组件安置在所述封装主体的所述第二部分中，且所述线圈的所述第二端子经由所述第一导电组件及所述封装主体的所述第一部分内的第三导电组件与所述衬底电连接。