[发明专利]横向绝缘栅双极晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种横向绝缘栅双极晶体管，包括：

衬底，形成于所述衬底上的第一N埋层，形成于所述第一N埋层上将所述第一N埋层部分覆盖的埋氧层，形成于所述埋氧层之上的漂移区，形成于所述漂移区左侧的阴极P体区，以及形成于所述漂移区右上侧的阳极N缓冲区，所述阴极P体区的下端与所述埋氧层接触，且所述阴极P体区的底部直接与所述第一N埋层的上表面接触形成反偏PN结；

还包括在所述阴极P体区内从左往右依次形成的阴极P+区以及第一阴极N+区，在所述阳极N缓冲区内形成的阳极P+区，阳还包括设置在所述阴极P+区上表面和第一阴极N+区的部分上表面的阴极，设置在所述第一阴极N+区右侧上表面、阴极P体区的上表面和漂移区部分上表面部分的第一栅极，以及设置在所述阳极P+区的上表面的阳极；还包括竖跨所述阳极N缓冲区设置的阳极重掺杂N+区，所述阳极重掺杂N+区上端与所述阳极接触，下端与所述埋氧层和所述第一N埋层接触。

2.如权利要求1所述的横向绝缘栅双极晶体管，其特征在于，还包括形成于所述阴极P体区内位于所述阴极P+区左侧的第二阴极N+区，和形成于所述阴极P体区左侧的第二N埋层，所述第二N埋层上端与所述阴极P体区齐平，下端与所述第一N埋层接触；以及还包括在所述阴极P体区位于所述第二阴极N+区左侧的上表面、所述第二阴极N+区部分上表面和所述第二N埋层部分上表面设置的第二栅极；

所述阴极覆盖所述阴极P+区上表面、第一阴极N+区部分上表面和第二阴极N+区部分上表面。

3.如权利要求1所述的横向绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述漂移区为N型漂移区。

4.如权利要求2所述的横向绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述漂移区、第一阴极N+区、第二阴极N+区、阳极N缓冲区、第一N埋层、第二N埋层、阳极重掺杂N+区为N型；所述阴极P体区、阴极P+区、阳极P+区为P型。

5.如权利要求2-4任一项所述的横向绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述第一N埋层和/或所述第二N埋层为掺杂元素包括第15(VA)族元素(2)的N埋层。

6.如权利要求1-4任一项所述的横向绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述N埋层的厚度为5um至10um。

7.一种横向绝缘栅双极晶体管制作方法，包括：

在衬底上形成第一N埋层；

在所述第一N埋层上形成将所述第一N埋层部分覆盖的埋氧层；

在所述第一N埋层和所述埋氧层之上形成半导体层；

在所述半导体层的左端形成阴极P体区，并在所述半导体层的右端上侧形成阳极N缓冲区，所述阴极P体区的下端与所述埋氧层接触，且所述阴极P体区的底部直接与所述第一N埋层的上表面接触形成反偏PN结，所述阴极P体区和所述阳极N缓冲区之间的半导体层区域为漂移区；

在所述阴极P体区内从左往右形成阴极P+区以及第一阴极N+区，并在所述阳极N缓冲区内形成阳极P+区，以及形成竖跨所述阳极N缓冲区设置的阳极重掺杂N+区，所述阳极重掺杂下端与所述埋氧层和所述第一N埋层接触；

在所述阴极P+区上表面和第一阴极N+区部分上表面设置阴极，在所述阴极P体区位于所述第一阴极N+区右侧的上表面、第一阴极N+区部分上表面和漂移区部分上表面设置第一栅极，以及在所述阳极P+区上表面设置阳极，所述阳极与所述阳极重掺杂N+区上端接触。

8.如权利要求7所述的横向绝缘栅双极晶体管制作方法，其特征在于，所述形成覆盖所述阴极P+区上表面和第一阴极N+区部分上表面的阴极，覆盖所述阴极P体区位于所述第一阴极N+区右侧的上表面、第一阴极N+区部分上表面和漂移区部分上表面的第一栅极，以及覆盖所述阳极P+区至少部分上表面的阳极之前，还包括：

在所述半导体层之上形成表面氧化层，所述表面氧化层将所述漂移区、阴极P体区、阴极P+区、第一阴极N+区、阳极N缓冲区、阳极P+区以及阳极重掺杂N+区的上表面覆盖。