[发明专利]基于无环约束半定规划松弛的模拟电路建模及优化方法

权利要求书

1.一种基于无环约束半定规划松弛的模拟电路建模及快速优化方法，其特征在于，其包括步骤：

步骤1：采用晶体管级仿真器得到训练样本；以及

步骤2：建立满足无环图约束的电路性能稀疏多项式模型；以及

步骤3：根据稀疏多项式模型将原始的模拟电路优化问题转化为半定规划松弛问题进行求解；以及

步骤4：根据半定规划松弛结果计算得到原始电路设计参数的最优值。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的步骤2包括以下分步骤：

-分步骤201初始化候选基函数集合、候选矩阵元素集合、建模基函数集合、建模矩阵元素集合、变量约束集合和无向图；

-分步骤202在候选基函数集合中搜索权重最大的单项式；

-分步骤203对权重最大单项式对应的候选矩阵元素集合中的每一个元素，构造附加变量约束集合和附加边集合；

-分步骤204根据候选矩阵元素的附加变量约束集合和附加边集合更新更新无环图、候选基函数集合、建模基函数集合、建模矩阵元素集合和变量约束集合；

-分步骤205根据建模矩阵元素集合，优化求解最优模型系数。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述的分步骤203包括以下子步骤：

-初始化矩阵元素约束树的根节点及其层数、内部节点集合和叶子节点集合；

-依次构造内部节点集合中每一个节点的子节点，建立完整的约束树；

-根据完整的约束树，构造附加变量约束集合和附加边集合。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的根据稀疏多项式模型构造的半定规划松弛问题排除了不影响优化结果的设计参数。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述的权重最大单项式对应的附加变量约束集合和附加边集合考虑了所有的可能性。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，附加边集合中包括附加变量约束集合中出现的所有矩阵元素对应的边，以及权重最大单项式对应的边。