[发明专利]双色单光子源结构的制备方法及制备的结构

权利要求书

1.双色单光子源结构的制备方法，其特征在于：包括有以下步骤：

S1.在半导体衬底上生长并制备纳米线单量子点结构，所述纳米线单量子点结构的高度为2-3μm，量子点位于纳米线的轴向位置，所处位置的直径需满足单横模条件，纳米线顶角的形状为锥形，锥形角的角度为2°；

S2.对纳米线单量子点结构进行部分平整化，露出纳米线顶端的应力小岛，所述平整化后露出纳米线顶端的应力小岛的高度范围为150-200nm；

S3.使用机械剥离法制作二维薄膜，并将二维薄膜转移至应力小岛上，完成制备。

2.根据权利要求1所述的双色单光子源结构的制备方法，其特征在于：所述半导体衬底的材料为GaAs、InP或Si。

3.根据权利要求1所述的双色单光子源结构的制备方法，其特征在于：所述步骤S1通过方式1)或2)制备纳米线单量子点结构：

1)通过液滴自催化生长纳米线单量子点结构；

2)生长自组织量子点，自组织量子点的密度小于10^-8/cm^-2，再利用量子点荧光成像方法，并利用电子束曝光结合电感耦合等离子体刻蚀技术进行制备。

4.根据权利要求1所述的双色单光子源结构的制备方法，其特征在于：所述步骤S2采用SU8系列光刻胶/苯并环丁烯及对应的曝光技术对纳米线单量子点结构进行部分平整化。

5.根据权利要求1～4任一项所述的双色单光子源结构的制备方法，其特征在于：所述二维薄膜的材料为二硒化钨或六方氮化硼。

6.一种双色单光子源结构，其特征在于：采用权利要求1～5任一项的制备方法制备而成。