[发明专利]一种Al18 有效
申请号: | 201810004388.0 | 申请日: | 2018-01-03 |
公开(公告)号: | CN108115308B | 公开(公告)日: | 2020-06-19 |
发明(设计)人: | 王义峰;黄俊锋;曾俊逸;张建军;刘亚磊 | 申请(专利权)人: | 重庆大学 |
主分类号: | B23K35/30 | 分类号: | B23K35/30;B23K35/40 |
代理公司: | 重庆大学专利中心 50201 | 代理人: | 唐开平 |
地址: | 400044 重庆*** | 国省代码: | 重庆;50 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 al base sub 18 | ||
本发明公开了一种Al18B4O33晶须增强的银铜复合钎料及其制备方法,该复合钎料按质量百分比,由60%~70%的Ag粉、20%~30%的Cu粉和5%~15%的Al18B4O33晶须制成。该制备方法包括以下步骤:1、按质量百分比称取60%~70%的Ag粉、20%~30%的Cu粉和5%~15%的Al18B4O33晶须,混合得到原始钎料粉末;2、将步骤1得到的原始钎料粉末和磨球置于行星式球磨罐中,抽真空后向球磨罐中充入氩气,以100~150r/min的转速,球磨2~8h,得到Al18B4O33晶须增强的银铜复合钎料。本发明提高了焊接的强度。
技术领域
本发明属于焊接技术领域,涉及一种晶须增强的银铜复合钎料和制备方法,用于陶瓷/陶瓷或陶瓷/金属钎焊。
背景技术
陶瓷材料凭借其耐高温、耐腐蚀、耐磨、密度低、强度高等优点,广泛应用于航空航天、电子、化工、核等领域。然而,陶瓷材料自身的脆性大,难以制成大而复杂的构件,因而需要通过焊接的方式将其自身或与金属连接在一起,制成满足使用要求的构件。在诸多连接方法中,钎焊是用于陶瓷连接的最简单实用的方法。然而,陶瓷与金属母材间以及陶瓷母材与金属钎缝间的物理性能差异大,易在接头中形成较大的残余应力。
现有的利用复合钎料缓解陶瓷钎焊接头残余应力的方法有两种:一是向钎料中添加颗粒增强相,二是原位生成晶须;这两种方法都能改善钎缝与陶瓷母材间的线膨胀系数差异,进而降低接头残余应力。
但是,第一种方法的不足之处为:向金属钎料中添加低线膨胀系数颗粒尤其是纳米尺寸颗粒作为增强相时,所添加颗粒易发生团聚现象,从而削弱了改善效果;且颗粒增强相自身的机械性能无法得到充分体现,其对周围金属塑性变形的限制作用也有限。第二种方法的不足之处为:通过原位反应生成晶须对接头进行强化时,由于钎焊时间较短,所生成的晶须数量较少、尺寸相对较小,其分布在一定程度上受反应物颗粒原始分布位置约束,且该种强化形式往往依赖于真空条件。
发明内容
针对现有复合钎料存在的问题,本发明所要解决的技术问题就是提供一种Al18B4O33晶须增强的银铜复合钎料,它用于增强相的一维单晶体在钎缝中分布均匀,且增强相的数量、分布、尺寸和适用条件不受限制,能提高钎焊接头的强度。本发明还提供一种Al18B4O33晶须增强的银铜复合钎料的制备方法。
本发明提供一种Al18B4O33晶须增强的银铜复合钎料,按质量百分比,由60%~70%的Ag粉、20%~30%的Cu粉和5%~15%的Al18B4O33晶须制成。
本发明提供一种Al18B4O33晶须增强的银铜复合钎料的制备方法,包括以下步骤:
步骤1、按质量百分比称取60%~70%的Ag粉、20%~30%的Cu粉和5%~15%的Al18B4O33晶须,混合得到原始钎料粉末;
步骤2、将步骤1得到的原始钎料粉末和磨球置于行星式球磨罐中,抽真空后向球磨罐中充入氩气,以100~150r/min的转速,球磨2~8h,得到Al18B4O33晶须增强的银铜复合钎料。
本发明的技术效果是:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆大学,未经重庆大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810004388.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:抗裂性能优异的激光焊接接头
- 下一篇:一种金属制品用松香型助焊剂
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法