[发明专利]一种光电探测单元及其制造方法、光电探测设备

权利要求书

1.一种光电探测单元，其特征在于，包括：

衬底基板，设置于所述衬底基板上的薄膜晶体管器件和光电探测器件；

其中，所述薄膜晶体管器件包括：有源层，栅极，栅绝缘层，源极和漏极；

所述光电探测器件包括：光电转换层和电极层；所述电极层与所述光电转换层接触，所述电极层包括相互独立的第一电极与第二电极；以及，

所述有源层与所述光电转换层同层设置；所述第一电极与所述源极电连接。

2.根据权利要求1所述的光电探测单元，其特征在于，所述第一电极设置为包括多个相互平行的第一条状电极；所述第二电极设置为包括多个相互平行的第二条状电极；所述第一条状电极与所述第二条状电极交替间隔排列。

3.根据权利要求2所述的光电探测单元，其特征在于，所述光电转换层包括掺杂形成的第一图案，所述第一图案在衬底基板上的正投影与所述第一条状电极至少部分重叠。

4.根据权利要求3所述的光电探测单元，其特征在于，所述光电转换层还包括掺杂形成的第二图案，所述第二图案在衬底衬底基板上的正投影与所述第二条状电极至少部分重叠。

5.根据权利要求4所述的光电探测单元，其特征在于，所述第一图案和所述第二图案的掺杂类型不同。

6.根据权利要求1所述的光电探测单元，其特征在于，所述光电探测单元还包括第一保护层，位于所述薄膜晶体管器件和所述光电探测器件远离所述衬底基板一侧。

7.根据权利要求1所述的光电探测单元，其特征在于，所述薄膜晶体管器件还包括遮光层，所述遮光层位于所述有源层远离所述栅极一侧，所述遮光层在所述衬底基板上的正投影包含所述有源层在所述衬底基板上的正投影。

8.根据权利要求1所述的光电探测单元，其特征在于，所述有源层包括有源区和掺杂形成的欧姆接触区。

9.根据权利要求1所述的光电探测单元，其特征在于，所述第一电极为透明导体，和/或，所述第二电极为透明导体。

10.根据权利要求1所述的光电探测单元，其特征在于，所述光电探测单元还包括设置于所述光电转换层靠近所述基板一侧的反射层。

11.根据权利要求1所述的光电探测单元，其特征在于，所述反射层由金属材料制成，所述光电探测单元还包括设置于所述反射层与所述光电转换层之间的第二保护层，所述第二保护层由绝缘材料制成。

12.根据权利要求1至11任意一项所述的光电探测单元，其特征在于，栅极位于所述有源层远离所述衬底基板一侧，或，所述栅极位于所述有源层靠近所述衬底基板一侧。

13.根据权利要求12所述的光电探测单元，其特征在于，所述电极层与所述源极和所述漏极同层设置。

14.根据权利要求12所述的光电探测单元，其特征在于，所述电极层与所述栅极同层设置。

15.一种光电探测设备，包括如权利要求1至14任意一项所述的光电探测单元。

16.一种根据权利要求1所述的光电探测单元的制造方法，其特征在于，所述光电探测单元的制造方法包括，

形成有源层和光电转换层；形成栅极；形成栅绝缘层；形成第一电极和第二电极；形成源极和漏极；

其中，所述形成有源层和光电转换层包括，通过一次构图工艺形成所述有源层和所述光电转换层。

17.根据权利要求16所述的光电探测单元的制造方法，其特征在于，所述形成有源层和光电转换层还包括，通过第一掺杂工艺在所述光电转换层上形成第一图案。