[发明专利]一种非闪烁核壳结构量子点及其制备方法

说明书

本发明提供的非闪烁核壳结构量子点，包括核体和包覆于所述核体外表面的ZnS壳层；所述核体的化学组成为ZnxCd1‑xSeyS1‑y，其中0<x<1且0<y<1；所述壳层的厚度为0.7～10nm。本发明提供的非闪烁核壳结构量子点具有较高的稳定性，此外还具有较高的量子产率，良好的单分散性，尺寸分布均匀和半高宽窄的优点。本申请的实施例结果表明，本发明提供的非闪烁核壳结构量子点量子亮态比达到90～100％，量子产率为60～100％，尺寸偏差可控制在不大于10％，荧光光谱范围在480～560nm，半高宽为18～30nm。

技术领域

本发明涉及半导体功能材料技术领域，特别涉及一种非闪烁核壳结构量子点及其制备方法。

背景技术

荧光量子点具有窄的发射峰半峰宽的荧光特性，在生物分子标记、免疫检测、光发射二极管、激光器和太阳能电池等领域得到广泛关注。如CdSe、ZnSe、ZnCdSe或ZnCdSeS等就是应用较为普遍的荧光量子点。但上述荧光量子点的荧光性能稳定性较差，在应用过程中会出现闪烁行为，严重影响了量子点在实际应用中的效果。例如在生物检测过程中荧光量子点的闪烁可能造成示踪目标的丢失，在电致发光器件应用中荧光量子点的闪烁会造成器件效率的降低以及不稳定发光，极大的限制了荧光量子点的应用。

发明内容

本发明的目的在于提供一种非闪烁核壳结构量子点及其制备方法，本发明提供的非闪烁核壳结构量子点具有稳定的荧光性能。

为实现以上目的，本发明提供了一种非闪烁核壳结构量子点，包括核体和包覆于所述核体外表面的ZnS壳层；所述核体的化学组成为ZnxCd1-xSeyS1-y，其中0&lt;x&lt;1且0&lt;y&lt;1；所述壳层的厚度为0.7～10nm。

优选地，所述非闪烁核壳结构量子点的直径为4.5～25nm。

优选地，所述核体为Zn0.8Cd0.2Se0.5S0.5、Zn0.9Cd0.1Se0.3S0.8、Zn0.85Cd0.15Se0.15S0.85、Zn0.7Cd0.3Se0.6S0.4、Zn0.6Cd0.4Se0.2S0.8或Zn0.5Cd0.5Se0.1S0.9。

本发明还提供了上述方案所述非闪烁核壳结构量子点的制备方法，包括以下步骤：

(1)将镉源、锌源、脂肪酸和不含磷有机溶剂混合，在无氧条件下加热，得到镉和锌混合溶液；