[发明专利]一种薄膜晶体管及其维修方法、阵列基板和显示装置有效

专利信息
申请号: 201810002338.9 申请日: 2018-01-02
公开(公告)号: CN108198863B 公开(公告)日: 2020-07-31
发明(设计)人: 王建艳;李彦生;刘芳转 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L27/12;G02F1/1362
代理公司: 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 代理人: 莎日娜
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 薄膜晶体管 及其 维修 方法 阵列 显示装置
【权利要求书】:

1.一种薄膜晶体管,其特征在于,包括:栅极、有源层、多个源极和多个漏极,所述源极和所述漏极交替排列;所述多个源极的第一端相互连接,所述多个漏极的第二端相互连接;

所述栅极具有至少一个第一中空区域,各源极和各漏极在所述第一中空区域的正投影不重叠;

所述有源层具有至少一个第二中空区域;

所述第二中空区域在所述栅极所在平面上的正投影,位于所述第一中空区域内;

所述各源极和所述各漏极在所述栅极所在平面上的正投影至少部分位于所述第一中空区域处。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,

所述多个源极的第一端在所述栅极所在平面上的正投影位于所述栅极的外部;

所述多个漏极的第二端在所述栅极所在平面上的正投影位于所述栅极的外部。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,

所述多个源极的第一端与阵列基板的引线区电极连接,用于接收所述引线区电极传输的数据信号,并将所述数据信号导通至所述薄膜晶体管;

所述多个漏极的第二端与所述薄膜晶体管控制的像素单元连接,用于将所述数据信号从所述漏极导通至所述像素单元。

4.一种阵列基板,其特征在于,包括如权利要求1-3中任一项所述的薄膜晶体管。

5.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求4所述的阵列基板。

6.一种薄膜晶体管的维修方法,应用于如权利要求1至3中任一项所述的薄膜晶体管,其特征在于,包括:

当源极与漏极短路时,切断与短路位置连接的源极和/或漏极;

其中,切断的位置在栅极所在平面上的正投影,位于第一中空区域内。

7.根据权利要求6所述的维修方法,其特征在于,所述方法还包括:

当源极与栅极短路时,分别在第一位置和第二位置切断位于短路位置两侧的源极;其中,所述第一位置在栅极所在平面上的正投影,位于第一中空区域内;所述第二位置在栅极所在平面上的正投影,位于所述栅极的外部;

当漏极与栅极短路时,分别在第三位置和第四位置切断位于短路位置两侧的漏极;其中,所述第三位置在栅极所在平面上的正投影,位于第一中空区域内;所述第四位置在栅极所在平面上的正投影,位于所述栅极的外部。

8.根据权利要求6所述的维修方法,其特征在于,所述方法还包括:

当源极存在断路时,焊接断路位置两侧的源极,其中,焊接的位置在栅极所在平面上的正投影,位于第一中空区域内;

当漏极存在断路时,焊接断路位置两侧的漏极,其中,焊接的位置在栅极所在平面上的正投影,位于第一中空区域内。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810002338.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top