[发明专利]一种充电控制装置、充电系统及其控制方法

权利要求书

1.一种充电控制装置，其特征在于，包括：开关（2）和脉冲触发电路（3）；其中，

所述脉冲触发电路（3），用于向所述开关（2）输出脉冲信号；

所述开关（2），串联在待控制的直流母线的充电回路中，用于在所述脉冲信号的控制下进行开通和关断，以利用外部接入能源（1），并以脉冲形式为所述直流母线的母线支撑电容充电；

还包括：

所述脉冲触发电路（3），还用于向所述开关（2）输出除所述脉冲信号之外的控制信号；

所述开关（2），还用于在所述控制信号的控制下进行开通或关断，以通过不同的工作模式控制所述外部接入能源（1）与所述直流母线之间的接通或断开。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括：分压电路（4）；

所述开关（2）的第一连接端和开关（2）的第二连接端，串联在所述直流母线的正端线路中；

所述分压电路（4）与所述母线支撑电容并联，所述分压电路（4）的分压端连接至所述脉冲触发电路（3）的第一输入端，用于为所述脉冲触发电路（3）提供第一采集电压；

所述脉冲触发电路（3）的第二输入端，连接至所述开关（2）的第一连接端，以自所述开关（2）的第一连接端处获取第二采集电压；

所述脉冲触发电路（3）的输出端，连接至所述开关（2）的控制端。

3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述分压电路（4），包括：第一分压电阻和第二分压电阻；其中，

所述第一分压电阻和所述第二分压电阻串联，所述第一分压电阻和所述第二分压电阻的公共端，作为所述分压电路（4）的分压端。

4.根据权利要求2或3所述的装置，其特征在于，所述开关（2），包括：MOS管或IGBT；其中，

所述MOS管的栅极，作为所述开关（2）的控制端；所述MOS管的源极，作为所述开关（2）的第一连接端；所述MOS管的漏极，作为所述开关（2）的第二连接端；

和/或，

所述IGBT的基极，作为所述开关（2）的控制端；所述IGBT的发射极，作为所述开关（2）的第一连接端；所述IGBT的集电极，作为所述开关（2）的第二连接端。

5.根据权利要求2或3所述的装置，其特征在于，所述开关（2）在所述脉冲信号的控制下进行开通和关断，包括：

在所述外部接入能源（1）开始接入所述直流母线的情况下，所述第二采集电压为高电平，所述第一采集电压为低电平信号，所述脉冲触发电路（3）输出所述脉冲信号，触发所述开关（2）周期性地开通和关断，实现以脉冲形式为所述母线支撑电容充电。

6.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述开关（2）在所述脉冲信号的控制下进行开通和关断，包括：

在所述外部接入能源（1）开始接入所述直流母线的情况下，所述第二采集电压为高电平，所述第一采集电压为低电平信号，所述脉冲触发电路（3）输出所述脉冲信号，触发所述开关（2）周期性地开通和关断，实现以脉冲形式为所述母线支撑电容充电。

7.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述开关（2）在所述控制信号的控制下进行开通或关断，包括以下至少一种情形：

在所述外部接入能源（1）未接入所述直流母线的情况下，所述第二采集电压和所述第一采集电压均为低电平，所述脉冲触发电路（3）输出持续的低电平信号，使所述开关（2）处于关断状态，以使所述外部接入能源（1）与所述母线支撑电容间处于切断状态；

在所述母线支撑电容已充满电的情况下，所述第二采集电压为高电平，所述第一采集电压为高电平，所述脉冲触发电路（3）输出持续的高电平信号，控制所述开关（2）处于持续开通状态，以使所述外部接入能源（1）与所述直流母线相连，为所述直流母线输出端的负载持续供电；

在所述直流母线输入端的所述外部接入能源（1）开始切出所述直流母线的情况下，所述第二采集电压为低电平，所述第一采集电压为高电平，所述脉冲触发电路（3）输出持续的低电平信号，使所述开关（2）处于持续关断状态，以防止所述母线支撑电容上储存的能量反向流动。