[发明专利]检测装置,保护系统及保护方法在审
申请号: | 201810001543.3 | 申请日: | 2018-01-02 |
公开(公告)号: | CN109991466A | 公开(公告)日: | 2019-07-09 |
发明(设计)人: | 马吕斯·迈克尔·麦克林斯基;史蒂芬·施罗德;苑志辉;史经奎 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
主分类号: | G01R19/165 | 分类号: | G01R19/165;G01R15/04 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖;钱慰民 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 开关器件 分压组件 检测电路 串联 信号处理器 检测装置 耦合 分压器 开关器件并联 门极驱动器 两端电压 输出信号 种检测 分压 电路 集合 输出 检测 | ||
1.一种检测装置,其用于检测包括多个串联的开关器件的电路,该检测装置包括:
多个检测电路,其中,每个检测电路与相对应的开关器件的门极驱动器集合成一体,每个检测电路包括:
分压器,其与相应的开关器件并联耦合,且其包括多个串联的分压组件,及
信号处理器,耦合于所述分压组件的其中一个,用于接收该分压组件两端的分压,并输出表征该开关器件两端电压的输出信号。
2.根据权利要求1所述的检测装置,其中,该检测电路和该门极驱动器安装于基板之上,以组成印刷电路板,所述印刷电路板与所述开关器件相邻。
3.根据权利要求1所述的检测装置,其中,所述多个分压组件包括:
多个第一分压组件,每个第一分压组件包括第一电阻;及
第二分压组件,其与所述信号处理器耦合,该第二分压组件包括第二电阻;
其中,所述第一电阻的阻值大于所述第二电阻。
4.根据权利要求3所述的检测装置,其中,所述第二分压组件进一步包括与所述第二电阻并联耦合的电容。
5.根据权利要求4所述的检测装置,其中,所述检测电路进一步包括:
第一二极管,其与所述互相串联的第一分压组件并联;及
第二二极管,其与所述第二分压组件并联;
其中,所述第一二极管的额定电压大于或等于第二二极管的额定电压。
6.根据权利要求3所述的检测装置,其中,每个所述第一分压组件进一步包括与所述第一电阻并联耦合的第一电容,所述第二分压组件进一步包括与所述第二电阻并联耦合第二电容,且所述第一电容的电容值小于所述第二电容。
7.根据权利要求6所述的检测装置,其中,所述检测电路进一步包括:
第一二极管,其与所述串联的第一分压组件并联耦合;及
第二二极管,其与所述第二分压组件并联耦合。
8.根据权利要求1所述的检测装置,其中,所述信号处理器包括用于测量所述分压的测量装置。
9.根据根据权利要求1所述的检测装置,其中,所述信号处理器包括判断单元,其用于判断所述分压是否大于或等于参考电压。
10.根据根据权利要求9所述的检测装置,其中,所述参考电压表征所述开关器件的工作电压。
11.根据根据权利要求9所述的检测装置,其中,所述判断单元包括用于比较所述分压和所述参考电压的比较器。
12.根据根据权利要求1所述的检测装置,其中,所述开关器件包括碳化硅绝缘栅双极型晶体管(IGBT)及碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)中的至少一个。
13.一种保护系统,其用于保护包括多个串联的开关器件的电路,所述系统包括:
检测装置,其包括多个检测电路,其中,每个检测电路与相对应的开关器件的门极驱动器集合成一体,每个检测电路包括:
分压器,其与相应的开关器件并联耦合,且其包括多个串联
的分压组件,及
信号处理器,耦合于所述分压组件的其中一个,且用于接收
该分压组件两端的分压,并输出表征该开关器件两端电压的
输出信号;及
控制装置,用于基于所述输出信号判断所述每个开关器件是否具有失效风险,并使具有所述失效风险的开关器件处于持续开通状态以降低所述失效风险。
14.一种保护方法,其用于保护包括多个串联的开关器件的电路,所述方法包括:
通过检测装置检测每个开关器件两端的电压;
基于所述电压判断每个开关器件是否具有失效风险;及
使每个具有所述失效风险的开关器件处于持续开通状态,以降低所述失效风险;
其中,所述检测装置包括多个检测电路,每个检测电路与相应开关器件的门极驱动器集合成一体,每个检测电路包括:
分压器,其与相应的开关器件并联耦合,且其包括多个串联的分压组件,及
信号处理器,耦合于所述分压组件的其中一个,且用于接收该分压组件两端的分压,并输出表征该开关器件两端电压的输出信号。
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