[发明专利]一种电子设备及天线处理方法有效
申请号: | 201810001271.7 | 申请日: | 2018-01-02 |
公开(公告)号: | CN108172973B | 公开(公告)日: | 2020-06-23 |
发明(设计)人: | 刘君英 | 申请(专利权)人: | 联想(北京)有限公司 |
主分类号: | H01Q1/22 | 分类号: | H01Q1/22;H01Q7/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 100085 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电子设备 天线 处理 方法 | ||
1.一种电子设备,其特征在于,包括:
NFC线圈,所述NFC线圈作为所述电子设备的NFC天线;
第一射频馈点,设置在所述NFC线圈上,其中,所述NFC线圈上始于所述第一射频馈点且终于所述NFC线圈上的射频接地点的第一预定部分金属构成第一环天线,所述NFC线圈上的第一预定部分金属用于在所述电子设备的通信模块工作于第一射频频段时作为所述第一射频频段的第一环天线;
第二高频短路电容,设置于所述NFC线圈上,所述NFC线圈上始于所述第一射频馈点且终于所述NFC线圈上射频接地点的第一预定部分金属构成第一环天线,包括:所述NFC线圈上始于所述第一射频馈点,沿所述NFC线圈至所述第二高频短路电容止的第一预定部分金属构成第一环天线;
第二射频馈点及第三高频短路电容,设置于所述NFC线圈上,所述NFC线圈上始于所述第二射频馈点,沿所述NFC线圈至所述第三高频短路电容止的第二预定部分金属构成第二环天线,所述NFC线圈上的第二预定部分金属用于在所述电子设备的通信模块工作于第二射频频段时作为所述第二射频频段的第二环天线,所述第二环天线始于所述第二射频馈点,沿所述NFC线圈至所述第三高频短路电容的第二预定部分金属;
其中,所述NFC天线与所述第一环天线能够同时使用。
2.根据权利要求1所述的电子设备,其特征在于,所述NFC线圈上始于所述第一射频馈点且终于所述NFC线圈上的射频接地点的第一预定部分金属构成第一环天线,包括:
所述第一预定部分金属始于所述第一射频馈点,沿所述NFC线圈至所述电子设备的主板的金属地止,构成所述第一环天线。
3.根据权利要求1所述的电子设备,其特征在于,还包括:隔离电路,
所述隔离电路用于隔离所述NFC天线与所述第一环天线之间的信号干扰。
4.一种天线处理方法,应用于权利要求1-3中任意一项所述的电子设备,其特征在于,包括:
当第一射频信号处于第一射频频段时,第一射频馈点接收第一射频信号,将所述第一射频信号馈送至第一环天线,并使所述第一射频信号经过所述第一环天线发射出去;
或,
获取第一无线信号,当确定所述第一无线信号处于第一射频频段时,通过第一射频馈点将耦合至第一环天线的第一无线信号接收至所述电子设备;
其中,所述第一射频馈点设置在所述NFC线圈上,所述NFC线圈作为所述电子设备的NFC天线,所述NFC线圈上的第一预定部分金属用于在所述电子设备的通信模块工作于第一射频频段时作为所述第一射频频段的第一环天线,所述第一预定部分金属始于所述NFC线圈上的第一射频馈点,且终于所述NFC线圈上的射频接地点;
其中,所述NFC天线与所述第一环天线能够同时使用;
其中,所述将所述第一射频信号馈送至第一环天线,并使所述第一射频信号经过所述第一环天线发射出去,包括:将所述第一射频信号馈送至由所述第一射频馈点第二高频短路电容及处于所述第一射频馈点及第二高频短路电容之间的第一预定部分金属形成的第一环天线,并使所述第一射频信号经过所述第一环天线发射出去;或,所述通过第一射频馈点将耦合至第一环天线的第一无线信号接收至所述电子设备,包括:通过第一射频馈点将第一无线信号接收至所述电子设备,其中,第一无线信号为:通过第一射频馈点耦合至由所述第一射频馈点、第二高频短路电容以及处于所述第一射频馈点及第二高频短路电容之间的第一预定部分金属形成的第一环天线的第一无线信号;
其中,所述第二高频短路电容设置于所述NFC线圈上;
当确定第二射频信号处于第二射频频段时,第二射频馈点接收第二射频信号,将所述第二射频信号馈送至由所述第二射频馈点、NFC线圈及第三高频短路电容构成的第二环天线,并使所述第二射频信号经过所述第二环天线发射出去;或,获取第二无线信号,当确定所述第二无线信号处于第二射频频段时,将所述第二无线信号接收至所述电子设备,其中,第二无线信号为经过由第三高频短路电容、所述第二射频馈点及处于所述第三高频短路电容及所述第二射频馈点之间的第二预定部分金属构成的第二环天线的第二无线信号;
其中,所述第三高频短路电容及所述第二射频馈点设置于所述NFC线圈上,所述第二环天线始于所述第二射频馈点,沿所述NFC线圈至所述第三高频短路电容的第二预定部分金属。
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