[发明专利]测定表面温度的方法

权利要求书

1.用于在沉积工艺期间测定包含多个硅棒的化学气相沉积反应器中至少一个硅棒的表面温度的方法，其中测量装置A测定设置在所述硅棒上的测量区域中的所述表面温度，另外的测量装置B连续地或不连续地确定所述硅棒的至少一个直径和所述反应器中布置的至少一个其它硅棒的至少一个直径，所述测量装置A和B被布置在不同的位置，每个都在观察窗的前方或在反应器外部共同的观察窗的前方，以及所述测量区域的大小和/或位置根据所确定的一个或多个直径进行适配。

2.根据权利要求1所述的方法，其包括以下步骤：

a)用所述测量装置B确定至少一个硅棒的至少一个直径；

b)根据在步骤a)中确定的所述直径，限定设置在所述硅棒上的所述测量区域的大小和/或位置；

c)用所述测量装置A测定所述测量区域内的表面温度；

d)连续或不连续地重复步骤a)、b)和c)，并根据所述硅棒的直径连续或不连续地适配所述测量区域的大小和/或位置。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述测量装置B包括照相机，所述直径通过对由所述照相机产生的反应器内部的图像进行图像处理来测定。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述测量装置B包括运算单元，所述直径由通过所述运算单元捕获的沉积工艺的参数测定。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，测定至少两个硅棒的直径。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，测定三个硅棒的直径。

7.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于，所述测量装置A包括热成像系统。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述热成像系统是高温计或热成像照相机。

9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述测量区域具有垂直于硅棒轴线延伸的宽度，所述测量区域被限定为使得所述宽度在所述直径的2％和98％之间。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述测量区域被限定为使得所述宽度在所述直径的5％和95％之间。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述测量区域被限定为使得所述宽度在所述直径的10％和90％之间。

12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述测量区域具有平行于所述硅棒轴线延伸的高度，所述测量区域被限定为使得所述高度在所述直径的2％和300％之间，或者是恒定的。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述测量区域被限定为使得所述高度在所述直径的5％和200％之间，或者是恒定的。

14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述测量区域被限定为使得所述高度在所述直径的10％和150％之间，或者是恒定的。

15.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述测量区域是矩形的。

16.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，基于所述表面温度来控制沉积温度。

17.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，在达到规定的直径时结束所述沉积工艺。