[发明专利]氮化物半导体发光元件

权利要求书

1.一种氮化物半导体发光元件，其特征在于，具备发光元件结构部和包含蓝宝石基板的基底部，该发光元件结构部具有至少包含n型层、活性层及p型层的多个氮化物半导体层，

在所述n型层与所述p型层之间所配置的所述活性层具有量子阱结构，该量子阱结构包含至少1个由GaN系半导体构成的阱层，

所述阱层中，所述n型层侧的第1面与所述p型层侧的第2面之间的最短距离在相对于所述氮化物半导体层的层叠方向垂直的平面内变动，

从所述发光元件结构部射出的光的峰值发光波长短于354nm，

从所述发光元件结构部射出的光的发光光谱具有将339nm以上且小于343nm的第1峰、343nm以上且小于349nm的第2峰、和349nm以上且353nm以下的第3峰中的至少2个一体化而成的合成峰，

所述蓝宝石基板具有相对于(0001)面倾斜规定角度的主面，在该主面的上方形成有所述发光元件结构部，

至少从所述蓝宝石基板的所述主面到所述活性层的表面为止的各层为外延成长层，该外延成长层具有形成有多阶段状的平台的表面。

2.如权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，所述合成峰的半峰宽为10nm以下。

3.如权利要求1或2所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，所述发光光谱具有将所述第1峰及所述第2峰一体化而成的所述合成峰，峰值发光波长为343nm以上且小于349nm。

4.一种氮化物半导体发光元件，其特征在于，具备发光元件结构部和包含蓝宝石基板的基底部，该发光元件结构部具有至少包含n型层、活性层及p型层的多个氮化物半导体层，

在所述n型层与所述p型层之间所配置的所述活性层具有量子阱结构，该量子阱结构包含至少1个由GaN系半导体构成的阱层，

所述阱层中，所述n型层侧的第1面与所述p型层侧的第2面之间的最短距离在相对于所述氮化物半导体层的层叠方向垂直的平面内变动，

从所述发光元件结构部射出的光的峰值发光波长短于354nm，

从所述发光元件结构部射出的光的发光光谱具有339nm以上且小于343nm的第1峰、343nm以上且小于349nm的第2峰、和349nm以上且353nm以下的第3峰中的至少2个，

所述蓝宝石基板具有相对于(0001)面倾斜规定角度的主面，在该主面的上方形成有所述发光元件结构部，

至少从所述蓝宝石基板的所述主面到所述活性层的表面为止的各层为外延成长层，该外延成长层具有形成有多阶段状的平台的表面。