[发明专利]用于超导量子位电路的低损耗架构

权利要求书

1.一种超导结构，包括：

第一表面，所述第一表面包括谐振器的电感性元件；以及

第二表面，所述第二表面包括所述谐振器的电容性元件的第一部分和至少一个量子位，其中所述谐振器的电容性元件的第二部分在所述第一表面上；

其中，连接所述第一部分和所述第二部分的互连结构在所述互连结构、所述第一部分和所述第二部分之间形成等电位。

2.根据权利要求1所述的超导结构，其中所述电容性元件包括所述互连结构。

3.根据权利要求1或2所述的超导结构，其中，所述互连结构包括焊料凸块。

4.根据权利要求1或2所述的超导结构，其中，所述互连结构包括硅通孔。

5.根据权利要求1或2所述的超导结构，其中，所述第一表面和所述第二表面包括电路平面，所述电路平面在基板的相对侧上。

6.根据权利要求1或2所述的超导结构，其中，所述第一表面和所述第二表面包括电路平面，所述电路平面在不同的基板上。

7.根据权利要求1或2所述的超导结构，其中，所述至少一个量子位包括电容型量子比特。

8.根据权利要求1或2所述的超导结构，其中，所述至少一个量子位包括电感型量子比特。

9.一种形成结构的方法，所述方法包括：

将谐振器的电感性元件设置在第一表面上；以及

将所述谐振器的电容性元件的第一部分和至少一个量子位设置在第二表面上，其中所述谐振器的电容性元件的第二部分在所述第一表面上；

其中，连接所述第一部分和所述第二部分的互连结构在所述互连结构、所述第一部分和所述第二部分之间形成等电位。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述电容性元件包括所述互连结构。

11.根据权利要求9或10所述的方法，其中，所述互连结构包括焊料凸块。

12.根据权利要求9或10所述的方法，其中，所述互连结构包括硅通孔。

13.根据权利要求9或10所述的方法，其中，所述第一表面和所述第二表面包括电路平面，所述电路平面在基板的相对侧上。

14.根据权利要求9或10所述的方法，其中，所述第一表面和所述第二表面包括电路平面，所述电路平面在不同的基板上。

15.根据权利要求9或10所述的方法，其中，所述至少一个量子位包括电容型量子比特。

16.根据权利要求9或10所述的方法，其中，所述至少一个量子位包括电感型量子比特。

17.一种超导结构，包括：

第一表面，所述第一表面包括谐振器的电感性元件和谐振器的电容性元件的第一部分；以及

第二表面，所述第二表面包括由总线谐振器耦合的至少两个量子位，所述第二表面包括所述谐振器的所述电容性元件的第二部分；

其中，所述电容性元件各自包含连接所述第一表面和所述第二表面的互连结构，所述互连结构选自由焊料凸块和硅通孔构成的组。

18.根据权利要求17所述的超导结构，其中所述第一表面包括第一电路平面，并且所述第二表面包括与所述第一电路平面分离的第二电路平面，使得所述谐振器的电感性元件和所述至少两个量子位被定位在不同的电路平面上。

19.根据权利要求17或18所述的超导结构，其中所述谐振器包括读出谐振器。