[发明专利]基质膜形成装置在审
申请号: | 201780096482.7 | 申请日: | 2017-11-30 |
公开(公告)号: | CN111295584A | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
发明(设计)人: | 寺岛健太 | 申请(专利权)人: | 株式会社岛津制作所 |
主分类号: | G01N27/62 | 分类号: | G01N27/62;G01N27/64;G01N1/28 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 基质 形成 装置 | ||
在用于在质谱成像所使用的样品板形成基质物质的膜的基质膜形成装置中设置有:喷雾喷嘴(20),其具备溶液管(21)和气体管(22);气体输送部件(40、41、42、46),其向气体管(22)的基端侧输送高压气体;以及加压溶液输送部件(40、41、42、48、30、31),其对含有基质物质的溶液进行加压并将溶液向溶液管(21)的基端侧输送。由此,能够防止基质溶液滞留在溶液管(21)的顶端附近,从而防止由于在溶液管(21)内形成结晶块而导致喷雾喷嘴(20)的堵塞。
技术领域
本发明涉及一种用于在样品板形成基质物质的膜的基质膜形成装置,所述样品板在使用基质辅助激光解吸电离法(MALDI=Matrix Assisted Laser Desorption/Ionization)进行质谱成像时使用。
背景技术
MALDI法是一种这样的方法:为了对难以吸收激光的试样、蛋白质等因激光而容易受到损伤的试样进行分析,而在作为测定对象的试样中预先混合易于吸收激光并且容易电离的基质物质,通过对其照射激光来使试样电离。一般来说,基质物质作为溶液被添加到样品中,该基质溶液摄入样品中所包含的测定对象物质。然后,通过干燥使溶液中的溶剂汽化,从而形成含有测定对象物质的晶粒。当向其照射激光时,能够利用测定对象物质、基质物质以及激光的相互作用来将测定对象物质电离。通过使用MALDI法,能够在使分子量较大的高分子化合物不怎么发生解离的情况下对其进行分析,而且灵敏度较高并且也适用于微量分析,因此在生命科学等领域被广泛利用。
此外,近年来,使用MALDI质谱装置来使生物组织切片上的生物分子、代谢物等的二维分布状况直接可视化的质谱成像(MS成像)法一直受到关注。在质谱成像法中,能够在生物组织切片等试样上获得表示具有特定质荷比的离子的强度分布的二维图像。因此,例如期待通过对癌症等的病理组织中特异性物质的分布状况进行调查,来掌握疾病的扩散状况、确认用药等的治疗效果这些在医疗领域、药物开发领域、生命科学领域等中进行的各种应用。
作为质谱成像法中的试样制备即用于向试样添加基质物质的一般性方法,存在向贴附有样品的板喷射基质溶液进行涂敷的方法(以下将其称为喷雾法)(例如参照专利文献1)。用于利用喷雾法进行试样制备的基质膜形成装置的概略结构在图3中示出。该基质膜形成装置包括容纳有供样品板P安装的试样台81的腔室80和用于向样品板P喷射基质物质的喷雾喷嘴70。喷雾喷嘴70包括供喷雾气体流通的气体管72和供基质溶液流通的溶液管71。这些管为在气体管72的内部插入溶液管71而成的双层管构造,溶液管71的顶端由气体管72的顶端包围。此外,在溶液管71的中心插入有针73,并且针73的顶端自溶液管71的顶端略微突出。溶液管71的内部被基质溶液充满,其基端侧插入到容纳有基质溶液的溶液容器75中。另外,气体管72的基端侧与储气瓶等气体源74连接。
由于如上所述溶液管71的顶端由气体管72的顶端部包围,因此当自气体源74供给的高压喷雾气体从气体管72的顶端喷出时,溶液管71的顶端附近被减压(文丘里效应),从而自该顶端引出基质溶液。自溶液管71的顶端引出的基质溶液被喷雾气体剪切而成为微小液滴,该微小液滴随着喷雾气体的流动而从喷嘴70喷出。此时,通过基质溶液沿着针73流动,提高喷雾气体对基质溶液的剪切效率,从而能够使所述微小液滴更加微细化。由此自喷雾喷嘴70喷射出的基质溶液附着于与喷雾喷嘴70相对配置的试样台81上的样品板P。
专利文献1:日本特开2016-114400号公报([0004])
发明内容
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社岛津制作所,未经株式会社岛津制作所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780096482.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:粘着胶带
- 下一篇:一种SoC芯片及总线访问控制方法