[发明专利]在调光膜上刻画图案的方法有效

专利信息
申请号: 201780096340.0 申请日: 2017-11-28
公开(公告)号: CN111492306B 公开(公告)日: 2021-12-28
发明(设计)人: 胡康军 申请(专利权)人: 深圳市柔宇科技股份有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518172 广东省深圳市龙岗区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 调光 刻画 图案 方法
【权利要求书】:

1.一种在调光膜上刻画图案的方法,其特征在于,包括以下步骤:

A、制备调光膜;

B、将调光膜进行通电,使得调光膜呈现透明状态;

C、对通电状态的调光膜进行激光蚀刻,激光在调光膜的导电层上刻画出预先设定好的图案;

所述步骤A中,包括以下子步骤:

A1、在遮光环境下,取用调制好的调光膜液晶加热至20℃-50℃,搅拌均匀;

A2、将调光膜液晶遮光静置,直至调光膜液晶呈现透明状态;

A3、将两张导电薄膜间隔设置,二者之间留有间隙,将调光膜液晶涂布在两张导电薄膜之间的间隙中;

A4、对两张导电薄膜进行辊压贴合,辊压后导电薄膜所形成的两个导电层之间间距为10~25μm;

A5、贴合后的调光膜在紫外光下进行光固化或加热固化。

2.据权利要求1所述的在调光膜上刻画图案的方法,其特征在于,所述子步骤A1中,所述调光膜液晶选择在红外波段、紫外波段或绿光波段透过率高的聚合物液晶,且调光膜液晶的透过率小于导电薄膜的透过率。

3.根据权利要求2所述的在调光膜上刻画图案的方法,其特征在于,所述调光膜液晶由原料向列型液晶、丙烯酸酯混合物和预聚物制成。

4.根据权利要求3所述的在调光膜上刻画图案的方法,其特征在于,所述调光膜液晶还包括光引发剂。

5.根据权利要求4所述的在调光膜上刻画图案的方法,其特征在于,所述丙烯酸酯混合物为甲基丙烯酸丁酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸乙酯中的至少一种;所述预聚物为聚乙烯或聚丙烯。

6.根据权利要求1所述的在调光膜上刻画图案的方法,其特征在于,所述子步骤A3中,所述导电薄膜为透明导电薄膜,选用铟锡氧化物透明导电薄膜、纳米银导电薄膜、高分子聚合物导电薄膜或碳纳米管导电薄膜中的一种。

7.根据权利要求1所述的在调光膜上刻画图案的方法,其特征在于,所述步骤A中的子步骤A4进一步的包括:在导电薄膜表面镀有至少一层的特殊波段截止的透明导电材料截止层,所述特殊波段截止是指红外波段、紫外波段或绿光波段截止。

8.根据权利要求7所述的在调光膜上刻画图案的方法,其特征在于,所述透明导电材料截止层选用的材料为MgF2、Al2O3、Ti3O5、Si02或SiNx。

9.根据权利要求8所述的在调光膜上刻画图案的方法,其特征在于,所述透明导电材料截止层在导电薄膜表面镀多层,由高折射率和低折射率的材料交替叠合形成。

10.根据权利要求1所述的在调光膜上刻画图案的方法,其特征在于,所述步骤B中,通电电压为20~30V。

11.根据权利要求1所述的在调光膜上刻画图案的方法,其特征在于,所述步骤C中,包括以下子步骤:

C1、选用适用激光波长;

C2、调整激光聚焦面聚焦在调光膜的导电薄膜上;

C3、根据设定图案进行激光蚀刻,去除导电薄膜上对应图案位置的导电层,形成图案;

C4、蚀刻完成后,分别对图案或非图案区进行通电,通过图案或非图案区透明状态,来检查蚀刻图案完整性。

12.根据权利要求11所述的在调光膜上刻画图案的方法,其特征在于,所述子步骤C1中,所述激光波长选用紫外波段355nm、绿光波段532nm或红外波段1064nm。

13.根据权利要求11所述的在调光膜上刻画图案的方法,其特征在于,所述子步骤C4中,给调光膜的图案区域通电,电压达到透明态阈值时,图案区域呈现透明状态;

或者给非图案区域通电,电压达到透明态阈值时,图案区域呈现雾态,非图案区域呈现透明状态。

14.根据权利要求1所述的在调光膜上刻画图案的方法,其特征在于,所述方法还包括:

在步骤A中,还包括子步骤A6:在固化后,在导电薄膜外粘接有用于保护导电薄膜的基层。

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