[发明专利]激光照射方法和激光照射系统

权利要求书

1.一种激光照射方法，对在半导体基板上形成杂质源膜而构成的被照射物照射具有比所述半导体基板的带隙能量大的光子能量的脉冲激光，其中，该杂质源膜至少包含作为掺杂剂的杂质元素，该激光照射方法具有以下步骤：

A.作为激光掺杂用的第1照射条件，读入第1注量和第1照射脉冲数，其中，在对所述被照射物照射所述第1照射脉冲数的所述脉冲激光的情况下，所述第1注量为所述杂质源膜产生烧蚀的阈值以上且小于在所述半导体基板的表面产生损伤的阈值，其中，该第1注量是照射到所述被照射物上所设定的矩形的照射区域的所述脉冲激光的每一个脉冲的注量，该第1照射脉冲数是照射到所述照射区域的2个以上的照射脉冲数；

B.在设所述照射区域沿扫描方向的宽度为Bx、所述第1照射脉冲数为Nd、所述脉冲激光的反复频率为f的情况下，根据下式(a)计算第1扫描速度Vdx；以及

C.以所述反复频率f对所述照射区域照射所述脉冲激光并使所述被照射物以所述第1扫描速度Vdx相对于所述照射区域相对地移动，

Vdx＝f·Bx/Nd…(a)。

2.根据权利要求1所述的激光照射方法，其中，

在设所述照射区域沿与扫描方向垂直的方向的宽度为By的情况下，By满足下式(b)：

By＝n·Cy…(b)，

其中，n为1以上的整数，Cy为所述半导体基板沿与所述扫描方向垂直的方向的切割间距。

3.根据权利要求1所述的激光照射方法，其中，

在设所述照射区域沿与扫描方向垂直的方向的宽度为By的情况下，By/Bx满足下式(c)：

10≦By/Bx≦1000…(c)。

4.根据权利要求1所述的激光照射方法，其中，

所述半导体基板由SiC形成，所述脉冲激光的中心波长为270nm以下。

5.根据权利要求4所述的激光照射方法，其中，

所述杂质源膜为铝金属膜，第1注量在1.5J/cm²以上且10J/cm²以下的范围内。

6.根据权利要求4所述的激光照射方法，其中，

所述杂质源膜的厚度在50nm以上且450nm以下的范围内。

7.根据权利要求6所述的激光照射方法，其中，

所述第1照射脉冲数在5以上且40以下的范围内。

8.根据权利要求4所述的激光照射方法，其中，

所述杂质源膜为SiN膜，第1注量在1.2J/cm²以上且10J/cm²以下的范围内。

9.根据权利要求8所述的激光照射方法，其中，

所述杂质源膜的厚度在20nm以上且300nm以下的范围内。

10.根据权利要求9所述的激光照射方法，其中，

所述第1照射脉冲数在5以上且40以下的范围内。

11.根据权利要求1所述的激光照射方法，其中，该激光照射方法还具有以下步骤：

C.作为后退火用的第2照射条件，读入第2注量和第2照射脉冲数，其中，在对所述被照射物照射所述第2照射脉冲数的所述脉冲激光的情况下，所述第2注量为能够修复所述半导体基板中的缺陷的注量的阈值以上且小于在所述半导体基板的表面产生损伤的阈值，其中，该第2注量是照射到所述照射区域的所述脉冲激光的每一个脉冲的注量，该第2照射脉冲数是照射到所述照射区域的2个以上的照射脉冲数；

D.在设所述第2照射脉冲数为Np的情况下，根据下式(d)计算第2扫描速度Vpx；以及

C.以所述反复频率f对所述照射区域照射所述脉冲激光并使所述被照射物以所述第2扫描速度Vpx相对于所述照射区域相对地移动，

Vpx＝f·Bx/Np…(d)。