[发明专利]激光照射系统和电子器件的制造方法

说明书

本公开的一个观点的激光照射系统具有：第1光学系统，其将第1激光变换为第2激光；多镜器件，其包含多个反射镜，能够控制多个反射镜的各个姿势角度，且该多镜器件通过对第2激光进行分割而向多个方向反射，生成分割后的多个激光；傅立叶变换光学系统，其使分割后的多个激光会聚；以及控制部，其以利用傅立叶变换光学系统使通过所述反射镜进行分割后的多个激光重叠的方式控制所述多个反射镜的姿势角度，其中所述反射镜彼此隔开所述第2激光的空间相干长度以上的距离。

技术领域

本公开涉及激光照射系统和电子器件的制造方法。

背景技术

关于半导体集成电路的细微化、高集成化，在半导体曝光装置中要求分辨率的提高。以下，将半导体曝光装置简称作“曝光装置”。因此，推进了从曝光用光源输出的光的短波长化。替代现有的汞灯，曝光用光源使用气体激光装置。目前，作为曝光用气体激光装置，使用输出波长为248nm的紫外线的KrF准分子激光装置和输出波长为193nm的紫外线的ArF准分子激光装置。

作为目前的曝光技术，如下浸液曝光被实用化：用液体充满曝光装置侧的投影透镜与晶片之间的间隙，改变该间隙的折射率，由此，使曝光用光源的外观上的波长短波长化。在使用ArF准分子激光装置作为曝光用光源进行了浸液曝光的情况下，对晶片照射等价的波长为134nm的紫外光。将该技术称作ArF浸液曝光。ArF浸液曝光也称作ArF浸液光刻。

KrF、ArF准分子激光装置的自然振荡中的光谱线宽为大约350～400pm，较宽，因此，产生通过曝光装置侧的投影透镜缩小投影在晶片上的激光(紫外线光)的色像差，分辨率下降。因此，需要直到色像差成为可无视的程度为止使从气体激光装置输出的激光的光谱线宽窄带化。光谱线宽也称作光谱宽度。因此，在气体激光装置的激光谐振器内设置有具有窄带化元件的窄带化部(Line Narrow Module)，通过该窄带化部实现了光谱宽度的窄带化。另外，窄带化元件也可以为标准具、光栅等。将以这样的方式使光谱宽度窄带化的激光装置称作窄带化激光装置。

此外，准分子激光的脉冲宽度为大约几十ns，波长分别短为248.4nm和193.4nm，因此，有时被用于高分子材料、玻璃材料等的直接加工。高分子材料能够通过具有比耦合能量高的光子能量的准分子激光，切断高分子材料的耦合。因此，已知能够进行非加热加工，加工形状变得美观。

此外，已知有由于玻璃、陶瓷等的针对准分子激光的吸收率较高，所以也能够进行难以在可见激光和红外线激光中进行加工的材料的加工。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-222841号公报

专利文献2：日本特开昭63-101815号公报

专利文献3：日本特开2005-205464号公报

发明内容

本公开的1个观点的激光照射系统，具有：第1光学系统，其将第1激光变换为第2激光；多镜器件，其包含多个反射镜，能够控制多个反射镜各自的姿势角度，且该多镜器件通过对第2激光进行分割而向多个方向反射，生成分割后的多个激光；傅立叶变换光学系统，其使分割后的多个激光会聚；以及控制部，其以利用傅立叶变换光学系统使彼此隔开第2激光的空间相干长度以上的通过反射镜进行分割后的多个激光重叠的方式控制多个反射镜的姿势角度。