[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法

说明书

具有：半导体基板；有效区域，其是在该半导体基板形成的通电部分；以及无效区域，其是在该半导体基板形成的非通电部分。还具有：配线金属，其形成于该有效区域；金属部，其设置于该配线金属的上表面，向外部露出；识别标记，其在该配线金属的上表面与该金属部分离设置，向外部露出，用于半导体装置的识别；以及绝缘体，其设置于该配线金属的上表面，与该金属部和该识别标记相邻，向外部露出。

技术领域

本发明涉及半导体装置和该半导体装置的制造方法。

背景技术

在专利文献1中公开了利用配线图案等在半导体芯片的表面形成识别用标记的技术。

专利文献1：日本特开2008-4724号公报

发明内容

为了确保半导体装置的可追踪性，有时在半导体装置形成识别标记。为了提高识别标记的辨识性，优选在半导体装置的流过电流的部分即有效区域形成识别标记。但是，就MOSFET、IGBT、二极管等功率用半导体芯片而言，为了使大电流流通，将整个有效区域通过Al等配线金属进行覆盖。因此，就功率用半导体芯片而言，没有利用配线金属标出识别标记的余地。如果在这样的配线金属形成识别标记，则识别标记的正下方成为不能使电流流通的无效区域，存在阻碍功率用半导体芯片的小型化的问题。

本发明是为了解决上述问题而提出的，其目的在于提供一种具有识别标记，适于小型化的半导体装置和其制造方法。

本发明涉及的半导体装置的特征在于，具有：半导体基板；有效区域，其是在该半导体基板形成的通电部分；无效区域，其是在该半导体基板形成的非通电部分；配线金属，其形成于该有效区域；金属部，其设置于该配线金属的上表面，向外部露出；识别标记，其在该配线金属的上表面与该金属部分离设置，向外部露出；以及绝缘体，其设置于该配线金属的上表面，与该金属部和该识别标记相邻，向外部露出。

本发明涉及的半导体装置的制造方法具有以下步骤：在半导体基板形成使配线金属在表面露出的有效区域和在表面侧形成有电场缓和构造的无效区域；形成将该配线金属的一部分覆盖的绝缘体；以及通过对从该绝缘体露出的该配线金属实施镀敷处理，从而在该有效区域形成与该绝缘体相接的金属部和与该绝缘体相接的识别标记。

本发明的其他特征在下面得以明确。

发明的效果

根据本发明，在有效区域，在配线金属之上形成绝缘体和与该绝缘体相接的识别标记，因此能够提供具有识别标记的适于小型化的半导体装置。

附图说明

图1是实施方式1涉及的半导体装置的俯视图。

图2是图1的II-II’点划线处的半导体装置的剖面图。

图3是识别标记的放大图。

图4是表示裂纹的图。

图5是表示固定于半导体装置的发射极电极的图。

图6是实施方式2涉及的半导体装置的识别标记的俯视图。

具体实施方式

参照附图说明本发明的实施方式涉及的半导体装置和半导体装置的制造方法。对于相同或者对应的结构要素标注相同的标号，有时省略重复的说明。

实施方式1.

图1是实施方式1涉及的半导体装置10的俯视图。实施方式1的半导体装置10是IGBT芯片。该半导体装置10具有作为通电部分的有效区域12和作为非通电部分的无效区域14。虚线表示有效区域12与无效区域14的边界。在俯视时，无效区域14包围有效区域12。