[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质

说明书

本发明的课题是抑制回蚀时暴露出来的蚀刻对象膜以外的膜与蚀刻气体的反应。解决手段是进行以下工序：对于在表面形成了第一金属膜的开口部中埋入了第二金属膜的基板，供给含氧气体和含氟蚀刻气体来对所述第二金属膜进行回蚀的回蚀工序；和，将所述含氧气体和所述含氟蚀刻气体除去的除去工序。

技术领域

本发明涉及半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质。

背景技术

具有3维结构的NAND型Flush存储卡的控制栅极、MOSFET(Metal OxideSemiconductor Field Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)的面向字线的电极中，一般使用钨(W)膜。该W膜最终要成为埋入孔穴中的状态，因而在其成膜时要将W完全嵌入孔穴中。这时，由于在不需要的部分也会形成W膜，因此，在W成膜工序后，要进行回蚀工序，仅在所希望部分保留W膜。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-109419号公报

发明内容

发明要解决的课题

W膜的回蚀(etch back)中，以往主要使用湿式清洗，但近年来，正在研究通过干式蚀刻来进行回蚀。但是，例如，在对W膜进行回蚀时，受到回蚀的W膜的膜厚要比成膜的W膜的膜厚大(厚)，因此，在W膜没有被埋入的部分，有时其他膜会暴露。暴露后的其他膜会与蚀刻气体反应而被削减，或者会形成异物。

本发明的目的在于，提供一种技术来抑制回蚀时暴露出来的蚀刻对象膜以外的膜与蚀刻气体发生反应。

解决课题的方法

根据本发明的一个实施方式，提供一种技术，具有：

对于在表面形成了第一金属膜的开口部中埋入了第二金属膜的基板，供给含氧气体和含氟蚀刻气体，对所述第二金属膜进行回蚀的回蚀工序，和

将所述含氧气体和所述含氟蚀刻气体除去的除去工序。

发明效果

根据本发明，能够抑制回蚀时暴露出来的蚀刻对象膜以外膜与蚀刻气体发生反应。

附图说明

[图1]是显示本发明的一个实施方式中的设备概略的图。

[图2]是显示本发明的一个实施方式中的基板处理装置的纵型处理炉的概略的纵截面图。

[图3]是图2中A-A线概略的横截面图。

[图4]是本发明的一个实施方式中的基板处理装置的控制器的概略构成图，是用框图来显示控制器的控制系统的图。

[图5]是显示本发明的一个实施方式中的气体供给的时刻点的图。

[图6]是显示根据本发明的一个实施方式进行评价时容纳在基板处理装置的处理室内的基板的种类和各个基板的位置关系的图。

[图7]是显示根据本发明的一个实施方式进行评价(Si晶圆的XPS分析)的结果的图。

[图8]是显示本发明的一个实施方式的气体供给的时刻点的变形例的图，(A)是显示变形例1的图，(B)是显示变形例2的图，(C)是显示变形例3的图，(D)是显示变形例4的图，(E)是显示变形例5的图，(F)是显示变形例6的图。

具体实施方式