[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括具有能够进行开关的电流路径的活性区域，所述半导体装置具备：

第1导电类型的半导体层，具有第1面和与所述第1面相反的第2面；

第1主电极，设置于所述第1面上；

超级结层，设置于所述半导体层的所述第2面上，在与所述半导体层的所述第2面垂直的所述活性区域的剖面中，在所述第2面的面内方向上交替包括具有所述第1导电类型的多个第1柱及具有与所述第1导电类型不同的第2导电类型的多个第2柱，所述第1柱的杂质浓度是恒定的，所述第2柱的杂质浓度是恒定的；

多个第1阱，设置于所述第2柱的各个上，在所述超级结层上到达所述第1柱，具有所述第2导电类型；

多个第1杂质区域，设置于所述第1阱的各个上，通过所述第1阱从所述第1柱隔开，具有所述第1导电类型；

多个第2阱，设置于所述第1柱的各个上，在所述剖面中远离所述第2柱地配置，具有所述第2导电类型；

多个第2杂质区域，设置于所述第2阱的各个上，通过所述第2阱从所述第1柱隔开，具有所述第1导电类型；

控制电极，隔着绝缘膜在所述第1柱与所述第1杂质区域之间与所述第1阱相向，并且在所述第1柱与所述第2杂质区域之间与所述第2阱相向；以及

第2主电极，接合到所述第1阱、所述第2阱、所述第1杂质区域及所述第2杂质区域的各个。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第1阱向所述第1柱上延伸。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第1阱在所述第1柱和所述第2柱的边界上具有端部。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

所述第1阱的杂质浓度与所述第2柱中的与所述第1阱相接的部分的杂质浓度相同。

5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体装置，其中，

所述第1柱以及所述第2柱在与所述半导体层的所述第2面平行的布局中配置为条纹状。

6.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体装置，其中，

在所述第2柱中，作为与所述半导体层的所述第2面平行的布局，具有多个柱图案，所述多个柱图案沿着至少2个方向中的各个方向周期性地配置。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

所述至少2个方向包括相互正交的2个方向。

8.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体装置，其中，

在所述第2柱中，作为与所述半导体层的所述第2面平行的布局，具有多个柱图案，所述多个柱图案沿着一个方向周期性地配置，并且沿着与所述一个方向垂直的方向交错状地配置。

9.根据权利要求1至5中的任意一项所述的半导体装置，其中，

所述第2阱在与所述半导体层的所述第2面平行的布局中配置为条纹状。

10.根据权利要求1至8中的任意一项所述的半导体装置，其中，

在所述第2阱中，作为与所述半导体层的所述第2面平行的布局，具有多个阱图案，所述多个阱图案沿着至少2个方向中的各个方向周期性地配置。

11.根据权利要求1至10中的任意一项所述的半导体装置，其中，

在所述剖面中，所述多个第2柱中的各个柱具有相同的宽度，所述多个第2柱等间隔地配置。

12.根据权利要求1至11中的任意一项所述的半导体装置，其中，

在所述剖面中，所述第2阱各自的宽度小于所述第1阱各自的宽度。

13.根据权利要求1至12中的任意一项所述的半导体装置，其中，

所述超级结层包括碳化硅。

14.根据权利要求1至13中的任意一项所述的半导体装置，其中，

所述第1导电类型是n型，所述第2导电类型是p型。