[发明专利]电力转换装置在审

专利信息
申请号: 201780094766.2 申请日: 2017-11-15
公开(公告)号: CN111357184A 公开(公告)日: 2020-06-30
发明(设计)人: 一木智;田中章斗;久保田俊介 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H02M7/12 分类号: H02M7/12;H02M1/00;H02M3/155;H02M3/158;H02M1/42
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 周宏志;张青
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电力 转换 装置
【说明书】:

本发明的电力转换装置具备:单相全波整流部(2);电解电容器(6);多个斩波电路,它们设置于单相全波整流部(2)与电解电容器(6)之间,并分别具有电抗器(31、32)、与单相全波整流部(2)并联连接的第一MOSFET(41、51)、以及一端与电解电容器(6)的正极侧的端子连接并且另一端与电抗器(31、32)及第一MOSFET(41、51)连接的第二MOSFET(42、52);第一电流检测部(80),其在两个方向上检测在电抗器(31、32)流动的电流;以及控制部(9),其使用第一电流检测部(80)的检测结果,控制第一MOSFET(41、51)的动作。

技术领域

本发明涉及将交流电转换为直流电的电力转换装置。

背景技术

以往,在将交流电转换为直流电的电力转换装置中,使用由电抗器、反向阻断二极管以及半导体开关元件构成的有源转换器电路。作为有源转换器电路的一个例子,存在交错方式的功率因数调整电路。交错方式的功率因数调整电路具备多个由电抗器、反向阻断二极管以及半导体开关元件构成的升压斩波电路。在交错方式的功率因数调整电路中,错开相位来驱动各升压斩波电路的半导体开关元件。另外,根据近年来半导体设备的发展,作为损失较少的功率因数调整电路,提出有代替反向阻断二极管而使用了作为低损失半导体的MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor-金属氧化物半导体场效应管)的同步整流方式的功率因数调整电路(参照专利文献1)。

专利文献1:日本特开2015-23606号公报

使用了MOSFET的上述以往的功率因数调整电路,检测在各电抗器中流动的电流,在电流从电抗器流向电解电容器时进行使MOSFET导通的控制。然而,在上述以往的功率因数调整电路中,在因由MOSFET的短路故障或者噪声等引起的误动作而在上述的控制以外的时机MOSFET成为导通的情况下,过电流流向内部的部件。因此,在具备上述以往的功率因数调整电路的电力转换装置中,为了防止由过电流引起的半导体开关元件等的故障或者电抗器等的异常过热,即为了保护内部的部件而需要另外设置保护电路。因此,具备上述以往的功率因数调整电路的电力转换装置存在部件件数增大、基板尺寸扩大而导致装置大型化的问题。

发明内容

本发明是鉴于上述问题所做出的,目的在于获得一种能够抑制使用部件的增加并且保护内部的部件的电力转换装置。

为了解决上述的课题并实现目的,本发明的电力转换装置具备:整流器,其将交流电压转换为直流电压;和电容器,其与整流器并联连接。另外,电力转换装置具备多个斩波电路,该斩波电路设置于整流器与电容器之间,并分别具有:与整流器的正极侧的输出端子连接的电抗器、与整流器并联连接的第一开关元件、以及一端与电容器的正极侧的端子连接并且另一端与电抗器及第一开关元件连接的第二开关元件。另外,电力转换装置具备第一电流检测部,该第一电流检测部设置于电抗器、与配设于第一开关元件和第二开关元件之间的连接点之间,并在两个方向上检测在电抗器流动的电流。另外,电力转换装置的特征在于,具备控制部,该控制部使用第一电流检测部的检测结果来控制第一开关元件的动作。

本发明的电力转换装置发挥能够抑制使用部件的增加并且保护内部的部件的效果。

附图说明

图1是表示实施方式1的电力转换装置的构成例的图。

图2是表示在实施方式1的电力转换装置中在平常时向控制部输入的各检测值和从控制部输出的驱动信号的例子的图。

图3是表示在实施方式1的电力转换装置中第二MOSFET因误动作而成为导通状态时的动作的图。

图4是表示实施方式1的电力转换装置的电流检测部的动作的流程图。

图5是表示实施方式1的电力转换装置的控制部的动作的流程图。

图6是表示实施方式2的电力转换装置的构成例的图。

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