[发明专利]射流单元

说明书

本发明的方面提供了用于蒸发薄膜形成材料的射流单元，所述射流单元包括：壳体，其具有内部空间；坩埚，其设置在所述内部空间中并且容纳所述薄膜形成材料；以及喷嘴，其设置在所述坩埚的顶部上，使得所述薄膜形成材料通过所述喷嘴排放至所述坩埚的外部，其中所述喷嘴包括向上减小的倾斜部，其形成为从所述喷嘴的下部的一端朝向所述坩埚的内部倾斜；第一向上增大的倾斜部，其形成为从所述向上减小的倾斜部的上端部分朝向所述坩埚的边缘倾斜；以及第二向上增大的倾斜部，其形成为在所述第一向上增大的倾斜部的上端部分处朝向所述坩埚的边缘倾斜。

技术领域

本发明涉及用于在晶片或衬底上形成薄膜的射流单元，并且更具体地，涉及能够防止薄膜形成材料在其蒸发时冷凝在喷嘴的出口部分上的射流单元。

背景技术

通常，射流单元加热并且蒸发薄膜形成材料，以在设置在高真空室中的衬底上形成预定的薄膜。它用于在半导体制造工艺中在晶片表面上形成由特定材料制成的薄膜，或者在大型平板显示装置的制造工艺中在玻璃衬底等的表面上形成期望材料的薄膜。

图1是示意性地示出常规射流单元的视图。

如图1所示，常规射流单元包括具有内部空间11的壳体10、设置在内部空间11中并且容纳薄膜形成材料的坩埚20、位于内部空间11的侧面与坩埚20的外侧之间以加热坩埚20的侧面的加热器30、以及设置在内部空间11的侧面与加热器30之间以将加热器30的热量反射至坩埚20的反射板40。此外，坩埚20设置有喷嘴50，并且喷嘴50的出口51位于坩埚10的上端的端部处，薄膜形成材料通过出口51排放。

容纳在坩埚20中的薄膜形成材料在被加热器30和反射板40加热时蒸发，其中蒸发的薄膜形成材料经由喷嘴50的出口51排放至外部，以便沉积在放置在坩埚20的外部的衬底(未示出)上。

然而，由于坩埚20的上端部分(即喷嘴50的出口51部分)的温度相对较低，因此当薄膜形成材料通过喷嘴50蒸发时，容纳在坩埚20中的薄膜形成材料围绕喷嘴50的出口51冷凝。

发明内容

技术问题

本发明是为了解决上述问题，本发明的目的是提供能够防止薄膜形成材料在喷嘴的出口部分上冷凝的射流单元。

特别地，本发明的目的是提供通过弯曲喷嘴的内部使得其中薄膜形成材料被释放到外部的点位于坩埚的上端下方，能够防止薄膜形成材料在喷嘴的出口部分上冷凝的射流单元。

此外，本发明的另一个目的是提供能够形成相对高的温度的喷嘴部分的射流单元，通过使坩埚的结构加倍以在外坩埚的顶部中形成热量出口从而使加热器的辐射热量在内坩埚的顶部方向上流动来防止薄膜形成材料在喷嘴的出口部分上冷凝。

问题的解决方案

本发明的方面提供了用于蒸发薄膜形成材料的射流单元，所述射流单元包括：壳体，其具有内部空间；坩埚，其设置在所述内部空间中并且容纳所述薄膜形成材料；以及喷嘴，其设置在所述坩埚的顶部上，使得所述薄膜形成材料通过所述喷嘴排放至所述坩埚的外部，其中所述喷嘴包括向上减小的倾斜部，所述向上减小的倾斜部形成为从所述喷嘴的下部的一端朝向所述坩埚的内部倾斜；第一向上增大的倾斜部，其形成为从所述向上减小的倾斜部的上端部分朝向所述坩埚的边缘倾斜；以及第二向上增大的倾斜部，其形成为在所述第一向上增大的倾斜部的上端部分处朝向所述坩埚的边缘倾斜。

在此，当通过第一虚线L1与中心轴C形成的角度被称为第一倾斜角θ1，所述第一虚线L1在所述喷嘴的纵向方向上沿所述第一向上增大的倾斜部的倾斜表面从所述第一向上增大的倾斜部的下部朝向所述中心轴C延伸，并且通过第二虚线L2与所述中心轴C形成的角度被称为第二倾斜角θ2，所述第二虚线L2沿所述第二向上增大的倾斜部的倾斜表面从所述第二向上增大的倾斜部的下部朝向所述中心轴C延伸时，所述第二倾斜角θ2优选地大于所述第一倾斜角θ1。