[发明专利]相位调制器及其制作方法、硅基电光调制器

权利要求书

1.一种相位调制器的制作方法，其特征在于，包括：

提供硅晶圆，所述硅晶圆包括硅基底、位于所述硅基底表面的隔离层以及位于所述隔离层背离所述硅基底一侧的平坦层；

去除部分所述平坦层，形成凸起结构，所述凸起结构包括第一表面和位于所述第一表面两侧的第二表面和第三表面，所述第一表面高于所述第二表面和所述第三表面；

在所述第一表面内形成PN结结构，所述PN结结构包括相对设置的P区和N区以及位于所述P区和所述N区之间的PN结；

在所述第二表面内形成第一P型掺杂区，所述第一P型掺杂区的掺杂浓度大于所述P区的掺杂浓度；

在所述第三表面内形成第一N型掺杂区，所述第一N型掺杂区的掺杂浓度大于所述N区的掺杂浓度；

通过侧墙结构在所述第二表面内形成第二P型掺杂区，并在所述第三表面内形成第二N型掺杂区，其中，所述侧墙结构包括第一侧墙结构和第二侧墙结构；沿平行于所述第一P型掺杂区至所述P区的方向上，所述第一侧墙结构的厚度逐渐增加，沿平行于所述第一N型掺杂区至所述N区的方向上，所述第二侧墙结构的厚度逐渐增加，所述第二P型掺杂区位于所述第一P型掺杂区和所述P区之间，且所述第二P型掺杂区的掺杂浓度小于所述第一P型掺杂区的掺杂浓度；所述第二N型掺杂区位于所述第一N型掺杂区和所述N区之间，且所述第二N型掺杂区的掺杂浓度小于所述第一N型掺杂区的掺杂浓度。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在平行于所述第一P型掺杂区至所述P区的方向上，所述第二P型掺杂区的掺杂浓度逐渐降低；在平行于所述第一N型掺杂区至所述N区的方向上，所述第二N型掺杂区的掺杂浓度逐渐降低。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述通过侧墙结构在所述第二表面内形成第二P型掺杂区，并在所述第三表面内形成第二N型掺杂区包括：

在所述凸起结构的第一表面形成第一掩膜层；

在所述凸起结构朝向所述第二表面和所述第三表面的一侧形成侧墙结构，所述侧墙结构在所述平坦层上的投影与所述第一P型掺杂区不交叠，且与所述第一N型掺杂区不交叠；

在所述侧墙结构背离所述平坦层的一侧形成第二掩膜层，所述第二掩膜层覆盖所述第三表面、所述第一表面和所述第一P型掺杂区，曝露所述侧墙结构位于所述第二表面的部分；

以所述第二掩膜层为掩膜，在所述第二表面位于所述侧墙结构下方的区域内形成第二P型掺杂区；

去除所述第二掩膜层；

在所述侧墙结构背离所述平坦层的一侧形成第三掩膜层，所述第三掩膜层覆盖所述第二表面、所述第一表面和所述第一N型掺杂区，曝露所述侧墙结构位于所述第三表面的部分；

以所述第三掩膜层为掩膜，在所述第三表面位于所述侧墙结构下方的区域内形成第二N型掺杂区；

其中，所述第一掩膜层与所述第二掩膜层的材料不同，且所述第一掩膜层与所述第三掩膜层的材料不同。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料为氮化硅、锗或氮氧化硅。