[发明专利]硅晶片的双面抛光方法

权利要求书

1.一种硅晶片的双面抛光方法，通过利用包括具有保持硅晶片的1个以上的保持孔的载板、以及夹着所述载板而对置配置且在表面上设有抛光布的上平台及下平台的双面抛光装置，在使所述上平台及所述下平台的抛光布分别与装填于所述保持孔内的硅晶片的正面及背面接触的状态下，使所述上平台及所述下平台与所述载板相对旋转，从而同时抛光所述硅晶片的正面及背面，所述硅晶片的双面抛光方法的特征在于，连续地包括：

第1抛光工序，一边将由包含磨粒的碱水溶液构成的第1抛光液供给至所述抛光布，一边进行双面抛光；

抛光液切换工序，在所述第1抛光工序之后，保持着使所述上平台及所述下平台的抛光布分别与所述硅晶片的正面及背面接触的状态，并且，在使所述上平台及所述下平台继续旋转的状态下，停止所述第1抛光液的供给，并且开始供给由不含磨粒而包含水溶性高分子的碱水溶液构成的第2抛光液；以及

第2抛光工序，在所述抛光液切换工序之后，一边将所述第2抛光液供给至所述抛光布，一边进行双面抛光，

在所述第1抛光工序中，进行所述第1抛光工序及所述第2抛光工序中的总抛光量的80％～99.5％的抛光量的双面抛光，

在所述第2抛光工序中，进行单面平均抛光量为0.05μm～0.5μm的双面抛光。

2.根据权利要求1所述的硅晶片的双面抛光方法，其中，

关于所述上平台及所述下平台施加至所述硅晶片的正面及背面的面压力，

在所述第1抛光工序中，以第1面压力进行双面抛光，在其末期使所述面压力下降，而在结束时设为低于所述第1面压力的第2面压力，

在所述第2抛光工序中以所述第2面压力进行双面抛光。

3.根据权利要求2所述的硅晶片的双面抛光方法，其中，

所述第2面压力的值比所述第1面压力的值小5％～40％。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的硅晶片的双面抛光方法，其中，

在所述第1抛光工序中，回收使用完毕的第1抛光液之后，再次供给至所述抛光布，

在所述第2抛光工序中，回收使用完毕的抛光液之后，加以废弃。