[发明专利]电梯的控制装置和控制方法有效
申请号: | 201780094417.0 | 申请日: | 2017-09-13 |
公开(公告)号: | CN111051231B | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | 三富直彦 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | B66B1/30 | 分类号: | B66B1/30;B66B3/00;B66B13/14 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 龚晓娟;邓毅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电梯 控制 装置 方法 | ||
在对由多相的半导体元件构成的逆变器进行控制而驱动电机使轿厢升降并使所述轿厢在到达楼层后进行再平层动作的电梯中,根据逆变器的各相的电流的检测结果求出再平层动作前的半导体元件的第一温度上升估计值(θe),根据再平层动作时各相的电流流过的时间和电流对各相的电流实效值进行运算,在第一温度上升估计值(θe)与第二温度上升估计值(θn)相加而得到的值超过阈值(θth)时,判定为过热,从而以抑制半导体元件的温度上升的方式来控制再平层动作后的电梯的动作,该第二温度上升估计值(θn)是依照所存储的所述再平层动作时的电流实效值与半导体元件的温度上升估计值(θn)之间的关系的、针对运算出的电流实效值的温度上升估计值。
技术领域
本发明涉及控制电梯轿厢的升降的电梯的控制装置和控制方法。
背景技术
电梯控制装置具有逆变器装置,该逆变器装置对使电梯轿厢沿上下方向运转的电机进行驱动控制。构成该逆变器装置的半导体元件由于流过半导体元件的电流而发热。
因此,在现有的电梯的控制装置中,已知如下的电梯的控制装置:具备开关损耗运算器和接通损耗运算器,该开关损耗运算器对构成逆变器装置的半导体元件进行开关时的的瞬时的开关损耗进行运算,该接通损耗运算器对半导体元件接通、流过一定电流时的瞬时的接通损耗进行运算,根据这些开关损耗和接通损耗来估计瞬时的结温上升,并与该结温对应地减轻对半导体元件的负荷(例如参照下述专利文献1)。
根据这样的电梯的控制装置,通过根据开关损耗和接通损耗来估计瞬时的结温上升,能够与结温对应地减轻对半导体元件的负荷。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平11-255442号公报
发明内容
发明要解决的课题
然而,在上述电梯的控制装置中,结温的运算复杂,并且没有区分通常运转与再平层时的温度上升。即,在轿厢的再平层动作时,轿厢的最高速度被设定为与通常相比的1/10以下,因此电机的驱动频率变低。因此,接近直流的电流流过逆变器的特定二相的半导体元件。因此,存在仅在特定的半导体元件中发生急剧的温度上升的课题。
本发明是为了解决上述那样的课题而完成的,因此其目的在于得到如下的电梯的控制装置和控制方法:通过简单的结构对构成逆变器的半导体元件在再平层时的温度上升进行高精度的检测,并反映在再平层后的控制中。
用于解决课题的手段
本发明的电梯的控制装置具备:主控制部,其对由多相的半导体元件构成的逆变器进行控制而驱动电机使轿厢升降,并使所述轿厢在到达楼层后进行再平层动作;电流检测部,其检测所述逆变器的各相的电流;温度上升估计部,其根据所述电流检测部的电流检测结果求出再平层动作前的所述半导体元件的第一温度上升估计值;时间检测部,其检测在所述再平层动作时各相的电流流过的时间;电流实效值运算部,其根据由所述电流检测部检测出的电流和由所述时间检测部检测出的时间来运算出各相的电流实效值;温度上升信息存储部,其存储有所述再平层动作时的、电流实效值与所述逆变器的半导体元件的温度上升估计值之间的关系;以及过热判定部,其判定所述第一温度上升估计值与第二温度上升估计值相加而得到的值已超过阈值的情况,该第二温度上升估计值是从所述温度上升信息存储部得到的、针对由所述电流实效值运算部运算出的电流实效值的温度上升估计值,所述主控制部在所述第一温度上升估计值与所述第二温度上升估计值相加而得到的值超过阈值时,调整并控制所述再平层动作后的电梯的动作。
发明效果
在本发明中,能够提供如下的电梯的控制装置和控制方法:通过简单的结构对构成逆变器的半导体元件在再平层时的温度上升进行高精度的检测,并反映在再平层后的控制中。
附图说明
图1是与电梯主要结构一起示出的本发明的一个实施方式的电梯的控制装置的整体图。
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