[发明专利]电镀夹盘

说明书

本发明揭示了一种在电镀工艺期间用于保持基板的电镀夹盘。基板包括缺口区域(3031)及邻近缺口区域(3031)的图形区域(3032)。电镀夹盘包括盖板(3033)，该盖板(3033)被配置为遮盖基板的缺口区域(3031)，当基板被电镀时屏蔽缺口区域(3031)的电场。

技术领域

本发明涉及一种在基板上沉积金属薄膜的电镀装置，更具体地，涉及一种在电镀工艺中保持基板的电镀夹盘，其能够提高基板上缺口区域附近的镀层均匀性。

背景技术

在半导体器件制造过程中，电镀是一种常用的在基板上沉积金属薄膜的方法。尤其是，在先进封装技术中，通常采用电镀在基板上形成铜柱、焊点等实现芯片基板互连，原因在于电镀具有工艺简单、成本低、易于批量生产等优点。

在晶圆级封装的批量生产中，提供的产品基板在其边缘具有缺口区域。缺口区域覆盖着光刻胶，因此缺口区域不导电，所以在电镀过程中不能够被电镀。虽然缺口区域不能被电镀对缺口区域而言并不是一个问题，但问题是缺口区域缺乏电镀会导致邻近缺口区域的图形区域过度电镀，最终导致邻近缺口区域的图形区域的镀柱高度高于目标值。

如图19A和图19B所示的两种典型的缺口区域。具体地，图19A示意了基板513具有拱形的缺口区域5131和邻近缺口区域5131的图形区域5132，图19B示意了基板713具有基本呈方形的缺口区域7131和邻近缺口区域7131的图形区域7132。在电镀过程中，由于缺口区域5131,7131不能被电镀，图形区域5132,7132的电场会增强，从而导致在图形区域5132,7132的电沉积量高于基板513,713其他图形区域的电沉积量，因此图形区域5132,7132处的镀柱高度超出了工艺要求。如图20A所示，图20A揭示了为什么邻近缺口区域的图形区域会过度电镀的基本原理。由于缺口区域2031是不导电的，在电镀过程中，电力线从与缺口区域2031相对应的虚拟阳极2001传输到邻近缺口区域2031的图形区域2032，导致图形区域2032的过度电镀。

发明内容

因此，本发明的主旨是提供一种在电镀工艺中用于保持基板的电镀夹盘。基板包括缺口区域和邻近缺口区域的图形区域。电镀夹盘包括盖板，该盖板被配置为遮盖基板的缺口区域，以在基板被电镀时屏蔽缺口区域的电场。

在电镀过程中，本发明利用盖板来遮盖基板的缺口区域，因此，与缺口区域相对应的虚拟阳极的电力线被屏蔽，减弱了对邻近缺口区域的图形区域的影响，因此，进一步降低了邻近缺口区域的图形区域的镀层厚度，提高了基板镀层的均匀性。较佳地，盖板也遮盖部分邻近缺口区域的图形区域，来减弱邻近缺口区域的图形区域的电场，进而降低邻近缺口区域的图形区域的镀层厚度。

附图说明

图1揭示了本发明用于保持基板的装置的透视图。

图2揭示了本发明保持基板的装置的顶视图。

图3揭示了图2中沿A-A的剖视图。

图4揭示了图3中D部位的局部放大图。

图5揭示了图4中H部位的局部放大图。

图6揭示了装置的杯形夹盘、接触环和密封件的爆炸图。

图7揭示了装置的密封件的透视图。

图8揭示了密封件的顶视图。

图9揭示了图8中沿B-B的剖视图。

图10揭示了图9中F部位的局部放大图。

图11揭示了装置的接触环的剖视图。

图12揭示了图11中G部位的局部放大图。

图13揭示了本发明的另一实施例的压板和导电环的透视图。

图14揭示了压板和导电环的顶视图。