[发明专利]带电粒子线装置有效
申请号: | 201780094059.3 | 申请日: | 2017-09-04 |
公开(公告)号: | CN111033676B | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | 平野辽;野间口恒典;神谷知里;片根纯一 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立高新技术 |
主分类号: | H01J37/141 | 分类号: | H01J37/141;H01J37/317 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 柯瑞京 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 带电 粒子 线装 | ||
本发明通过简单的构造来实现能够抑制来自形成SEM的物镜的磁极片的泄漏磁场的复合带电粒子线装置。本发明涉及的带电粒子线装置一面使电流流过构成物镜的第1线圈一面取得粒子束观察像,在多个电流值下实施通过使电流流过第2线圈来减少该像偏差的动作,基于所述动作间的差分来决定流过所述第2线圈的电流。
技术领域
本发明涉及带电粒子线装置。
背景技术
FIB-SEM装置是在同一样品室内配置有会聚离子束(Focused Ion Beam:FIB)照射部和扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope:SEM)的复合带电粒子线装置。FIB-SEM装置用于制作使用透过型电子显微镜来观察的薄膜样品或解析样品的三维构造。SEM与FIB相比,探头的束径小,因此能够以高分辨率来观察样品。
FIB-SEM装置交替或同时实施基于FIB的加工和基于SEM的观察。此时,若从SEM的物镜对FIB-SEM的样品室内有磁场泄漏,则FIB的离子束就会发生偏转,或者离子源的同位素就会分离,从而使加工精度、分辨率劣化。
下述专利文献1记载了复合带电粒子线装置。该文献以“残留磁场下的会聚离子束的质量分离的防止以及电子束的聚焦的再现性、稳定性的提高。”作为课题,公开了以下这样的技术“一种复合带电粒子束装置,其特征在于,在同一样品室具备会聚离子束镜筒、电子束镜筒、磁场测定器,该复合带电粒子束装置具备测定样品室内的残留磁力而通过电磁力的方法来控制会聚离子束的轨道上的磁场的功能。测定样品室内的磁场,以电磁力的方法进行控制,使得该值成为预先存储的值”(参照摘要)。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:JP特开平11-329331号公报
发明内容
发明想要解决的课题
FIB-SEM装置除了FIB加工和SEM观察以外,还在样品室内搭载用于实施EDS(Energy Dispersive X-ray Spectrometry,能量色散X射线光谱仪)、EBSD(Electron BackScatter Diffraction,电子背散射衍射)等各种分析的分析器。因此,有时很难在样品室内确保用于搭载专利文献1这样的磁场检测器的空间。
本发明鉴于上述这样的课题而完成,通过简单的构造来实现能够抑制来自形成SEM的物镜的磁极片的泄漏磁场的复合带电粒子线装置。
用于解决课题的手段
本发明涉及的带电粒子线装置在多个电流值下实施一面使电流流过构成物镜的第1线圈一面取得离子束观察像的动作,基于所述动作间的差分,通过使电流流过第2线圈来减少所述观察像的位置偏差。
发明效果
根据本发明涉及的带电粒子线装置,不测定样品室内的磁场就能够抑制会聚离子束的偏差。因此,不需要在样品室内配置磁场测定器,因此能够简化装置结构。
附图说明
图1是实施方式1涉及的带电粒子线装置10的结构图。
图2是表示SEM镜筒100所具备的物镜的结构的侧视图。
图3是在图2所示的物镜中产生的磁场的概念图。
图4是FIB观察像的位置偏差的示例。
图5是说明决定为了抑制泄漏磁场而流过第2线圈113的电流值的次序的流程图。
图6是例示流过第1线圈112的电流和FIB像移位量之间的对应关系的曲线图。
图7是说明实施方式2涉及的带电粒子线装置10通过使电流流过第2线圈113来抑制泄漏磁场的次序的流程图。
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