[发明专利]13族元素氮化物层、自立基板以及功能元件有效
申请号: | 201780093879.0 | 申请日: | 2017-08-24 |
公开(公告)号: | CN111033764B | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 平尾崇行;中西宏和;市村干也;下平孝直;坂井正宏;吉野隆史 | 申请(专利权)人: | 日本碍子株式会社 |
主分类号: | H01L33/16 | 分类号: | H01L33/16;H01L33/32 |
代理公司: | 北京旭知行专利代理事务所(普通合伙) 11432 | 代理人: | 王轶;郑雪娜 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 13 元素 氮化物 自立 以及 功能 元件 | ||
1.一种13族元素氮化物层,其是包含选自氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中的13族元素氮化物结晶且具有上表面及底面的13族元素氮化物结晶层,其特征在于,
在利用阴极发光观察所述上表面时,具有高亮度发光部和与所述高亮度发光部相邻的低亮度发光区域,
所述上表面的X射线摇摆曲线的(0002)晶面反射的半值宽度为3000秒以下20秒以上。
2.根据权利要求1所述的13族元素氮化物层,其特征在于,在与所述13族元素氮化物结晶层的所述上表面垂直的截面上,没有观察到空洞。
3.根据权利要求1所述的13族元素氮化物层,其特征在于,所述13族元素氮化物结晶层的所述上表面的位错密度为1×106/cm2以下。
4.根据权利要求3所述的13族元素氮化物层,其特征在于,所述13族元素氮化物结晶层的所述上表面的所述位错密度为1×102/cm2以上1×106/cm2以下。
5.根据权利要求1~4中的任意一项所述的13族元素氮化物层,其特征在于,所述高亮度发光部形成连续相,所述低亮度发光区域形成由所述高亮度发光部区划开的不连续相。
6.根据权利要求1~4中的任意一项所述的13族元素氮化物层,其特征在于,所述高亮度发光部包括沿着所述13族元素氮化物结晶的[-2110]、[-12-10]、[11-20]、[2-1-10]、[1-210]、[-1-120]方向延伸的部分。
7.根据权利要求1~4中的任意一项所述的13族元素氮化物层,其特征在于,所述13族元素氮化物为氮化镓系氮化物。
8.一种自立基板,是在操作时不会因自重而变形或破损、可以作为固体物质进行操作的基板,其特征在于,包含权利要求1~7中的任意一项所述的13族元素氮化物层。
9.一种功能元件,其特征在于,具有:权利要求8所述的自立基板、以及在所述13族元素氮化物层上所设置的功能层。
10.根据权利要求9所述的功能元件,其特征在于,所述功能层的功能为发光功能、整流功能或电力控制功能。
11.一种复合基板,其特征在于,具备:支撑基板、以及在所述支撑基板上所设置的权利要求1~7中的任意一项所述的13族元素氮化物层。
12.一种功能元件,其特征在于,具有:权利要求11所述的复合基板、以及在所述13族元素氮化物层上所设置的功能层。
13.根据权利要求12所述的功能元件,其特征在于,所述功能层的功能为发光功能、整流功能或电力控制功能。
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