[发明专利]应力受损信号校正电路有效

专利信息
申请号: 201780093735.5 申请日: 2017-08-08
公开(公告)号: CN110998478B 公开(公告)日: 2021-09-07
发明(设计)人: 卡林·V·拉扎罗夫;罗伯特·C·齐亚科齐亚 申请(专利权)人: 亚德诺半导体国际无限责任公司
主分类号: G05F3/30 分类号: G05F3/30;G01R33/06;G05F1/10;G05F3/08;G05F3/16
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 申发振
地址: 爱尔兰*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 应力 受损 信号 校正 电路
【权利要求书】:

1.一种用于校准应力受损输出信号的方法,包括:

接收基于一个或多个pnp晶体管的基极-发射极电压的第一校准电压、基于一个或多个npn晶体管的基极-发射极电压的第二校准电压,以及参考电压;

基于所述第一校准电压、所述第二校准电压以及所述参考电压确定一组参考值;

基于所述一组参考值和一组温度相关值的函数计算增益校正因子;

基于所述参考电压接收输出信号;以及

基于所述增益校正因子调节所述输出信号。

2.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:

基于初始增益校正值和所述一组参考值的第一参考值计算温度;

基于所计算的温度计算所述一组温度相关值;以及

重复对所述温度、所述一组温度相关值以及所述增益校正因子的计算,直到所述温度和所述增益校正因子收敛到相应值为止,其中每个温度计算都基于最后计算的增益校正因子。

3.根据权利要求2所述的方法,进一步包括:

基于通过所计算的温度索引查找表确定所述一组温度相关值;

其中计算所述增益校正因子包括将所述一组温度相关值中的每个温度相关值乘以所述一组参考值中的相应参考值,对每个结果求和,并确定总和的倒数。

4.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:

基于所述pnp晶体管中一个的基极-发射极电压,接收与绝对温度成比例的第一电压,

其中基于所述第一校准电压和所述参考电压确定所述一组参考值中的第一参考值,

其中基于所述第二校准电压和所述参考电压确定所述一组参考值中的第二参考值,

其中基于所述第一电压和所述参考电压确定所述一组参考值中的第三参考值。

5.根据权利要求4所述的方法,其中计算所述增益校正因子包括:

基于所述一组参考值所述一组温度相关值、所述第一校准电压、所述第二校准电压、所述第一电压和所述参考电压,由一个或多个多项式方程确定所述增益校正因子。

6.根据权利要求4所述的方法,其中所述第一校准电压对应于所述一个或多个pnp晶体管的所述基极-发射极电压与所述第一电压的总和。

7.根据权利要求6所述的方法,其中所述第一校准电压、所述第二校准电压和所述第一电压由参考电路生成,所述参考电路被配置为:

基于通过第一pnp晶体管的第一基极的第一基极电流和通过第二pnp晶体管的第二基极的第二基极电流,以电流镜配置操作第一pnp晶体管和第二pnp晶体管,所述一个或多个pnp晶体管包括所述第一pnp晶体管和所述第二pnp晶体管;以及

基于从分压器中去除等于所述第一基极电流的电流,在连接到所述第一pnp晶体管的所述第一基极的所述分压器的第一节点处生成初始与绝对温度成比例PTAT电压,

其中所述第一电压基于所述初始PTAT电压的函数。

8.根据权利要求7所述的方法,其中所去除的电流基于在所述第一pnp晶体管的所述第一基极处的第一电压电位与基于连接到所述第二pnp晶体管的第二基极的电阻器的第二电压电位之间的差。

9.根据权利要求7所述的方法,其中多路复用器向模数转换器提供选自所述第一校准电压、所述第二校准电压、所述第一电压以及一个或多个模拟输入信号的模拟信号,

其中所述模数转换器基于所述参考电压以及从所述第一校准电压、所述第二校准电压和所述第一电压中选择的一个生成所述一组参考值中的每个相应参考值,并且基于所述参考电压和所述模拟输入信号生成所述输出信号,并且

其中处理器从所述模数转换器接收所述一组参考值和所述输出信号、计算所述增益校正因子,并且基于所述增益校正因子调节所述输出信号。

10.根据权利要求1所述的方法,其中所述参考电压是应力受损参考电压。

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