[发明专利]制造和使用X射线检测器的方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

在基板上形成吸收单元阵列，所述吸收单元阵列包括配置成吸收X射线的多个吸收单元，其中，在将所述吸收单元阵列从所述基板分离之前，所述多个吸收单元中的至少一个吸收单元内不包括保护环，并且所述多个吸收单元中的至少一个吸收单元不被包围在保护环中；

将所述吸收单元阵列从所述基板分离。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述吸收单元阵列包括硅、锗、GaAs、CdTe、CdZnTe或其组合。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个吸收单元中的每个吸收单元包括电触点。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个吸收单元的每个吸收单元包括二极管。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个吸收单元中的每个吸收单元包括电阻器。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在将所述吸收单元阵列从所述基板分离之后，在所述吸收单元阵列上形成掺杂侧壁，所述掺杂侧壁包围所述多个吸收单元中的多于一个吸收单元。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，形成所述掺杂侧壁包括对所述吸收单元阵列的侧壁进行掺杂和退火。

8.一种方法，包括：

将基板的一部分从所述基板分离；

在分离所述基板的一部分之后，在所述基板的一部分上形成吸收单元阵列，所述吸收单元阵列包括掺杂侧壁和多个吸收单元，其中所述多个吸收单元配置成吸收X射线，并且其中所述掺杂侧壁包围所述多个吸收单元中的多于一个吸收单元。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述吸收单元阵列包括硅、锗、GaAs、CdTe、CdZnTe或者其组合。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述多个吸收单元中的每个吸收单元包括电触点。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，所述多个吸收单元的每个吸收单元包括二极管。

12.根据权利要求8所述的方法，其中，所述多个吸收单元的每个吸收单元包括电阻器。

13.根据权利要求8所述的方法，其中，形成所述吸收单元阵列包括：通过对所述基板的一部分的侧壁进行掺杂来形成所述掺杂侧壁。

14.根据权利要求8所述的方法，其中，在形成所述多个吸收单元之前形成所述掺杂侧壁。

15.根据权利要求8所述的方法，其中，在形成所述多个吸收单元之后形成所述掺杂侧壁。

16.一种方法，包括：

获得吸收单元阵列，该吸收单元阵列包括沿所述吸收单元阵列的周边的第一多个吸收单元和在所述吸收单元阵列的内部中的第二多个吸收单元；

通过向所述第一多个吸收单元施加电压来电屏蔽所述第二多个吸收单元。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述第一多个吸收单元与所述第二多个吸收单元相同。

18.根据权利要求16所述的方法，其中，所述吸收单元阵列包括包括硅、锗、GaAs、CdTe、CdZnTe或其组合。

19.根据权利要求16所述的方法，其中，每个所述吸收单元包括电触点。

20.根据权利要求16所述的方法，其中，每个所述吸收单元包括二极管。