[发明专利]衬底处理装置、石英反应管、清洁方法以及程序在审
申请号: | 201780092892.4 | 申请日: | 2017-09-25 |
公开(公告)号: | CN110870050A | 公开(公告)日: | 2020-03-06 |
发明(设计)人: | 冈嶋优作;佐佐木隆史;吉田秀成;西堂周平;石坂光范;三村英俊 | 申请(专利权)人: | 株式会社国际电气 |
主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31;C23C16/44;H01L21/22;H01L21/3065 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 处理 装置 石英 反应 清洁 方法 以及 程序 | ||
1.衬底处理装置,其具备:
反应管,其具有外管和内管,所述外管和所述内管的一端分别封闭;
圆筒状的歧管,其与所述反应管的开口端侧连接;
密封盖,其封堵所述歧管的与连接于所述反应管的端相反的端;
旋转机构,其贯通所述密封盖并传递旋转;和
气体供给管,其供给对歧管的内侧空间进行吹扫的吹扫气体,
所述反应管具有:排气端口,其与外管和内管之间的排气空间连通;第1排气口,其设置于内管,将处理气体排出;和多个第2排气口,其使所述排气空间与所述歧管的内侧空间连通,所述第2排气口中的至少一个促进在距所述第1排气口远的排气空间中滞留的气体的排气。
2.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其特征在于,
所述衬底处理装置还具备:
衬底保持件,其借助所述旋转机构而旋转;
圆筒状外形的隔热组件,其将所述衬底保持件与所述密封盖之间隔热;和
多个第3排气口,其在与所述隔热组件相对的部位的所述内管上形成开口而设置,
所述第3排气口抑制来自所述气体供给管的吹扫气体穿过隔热组件的侧面而到达所述衬底保持件。
3.根据权利要求2所述的衬底处理装置,其中,
所述衬底处理装置还具备:
喷嘴,其设置在所述外管与所述内管之间且与所述第1排气口相对的位置,向所述内管内供给处理气体;和
喷嘴室,其维持与所述内管内的连通并包围所述喷嘴的周围。
4.根据权利要求3所述的衬底处理装置,其中,
所述吹扫气体从所述第2排气口进入所述排气空间并被排气的路径的流导被设定为大于所述吹扫气体从隔热组件的侧面或喷嘴室通过而从第1排气口进入所述排气空间并被排气的路径的流导,
所述第2排气口的大小及吹扫气体的流量被设定为使得侵入所述歧管的内侧空间中的所述处理气体的浓度变为规定值以下。
5.衬底处理装置的清洁方法,
所述衬底处理装置具备:
反应管,其具有外管和内管,所述外管和所述内管的一端分别封闭;
圆筒状的歧管,其与所述反应管的开口端侧连接;
密封盖,其封堵所述歧管的与连接于所述反应管的端相反的端;
旋转机构,其贯通所述密封盖并传递旋转;和
气体供给管,其供给对歧管的内侧空间进行吹扫的吹扫气体,
所述反应管具有:排气端口,其与外管和内管之间的排气空间连通;第1排气口,其设置于内管,将处理气体排出;和多个第2排气口,其使所述排气空间与所述歧管的内侧空间连通,
清洁方法具有下述工序:
从喷嘴向所述反应管内供给清洁气体的工序;以及
通过将包含下述子工序的循环重复多次,从而一边改变所述反应管内的压力一边进行吹扫的工序,所述子工序为:通过向所述反应管内供给吹扫气体而使所述处理室内升压的子工序;和通过对所述处理室内进行真空排气而使所述处理室内降压的子工序。
6.程序,其使控制衬底处理装置的计算机执行下述处理,
所述衬底处理装置具备:
反应管,其具有外管和内管,所述外管和所述内管的一端分别封闭;
圆筒状的歧管,其与所述反应管的开口端侧连接;
密封盖,其封堵所述歧管的与连接于所述反应管的端相反的端;
旋转机构,其贯通所述密封盖并传递旋转;和
气体供给管,其供给对歧管的内侧空间进行吹扫的吹扫气体,
所述反应管具有:排气端口,其与外管和内管之间的排气空间连通;第1排气口,其设置于内管,将处理气体排出;和多个第2排气口,其使所述排气空间与所述歧管的内侧空间连通,
所述处理为:
从喷嘴向所述反应管内供给清洁气体的步骤;以及
通过将包含下述子工序的循环重复多次,从而一边改变所述反应管内的压力一边进行吹扫的步骤,所述子工序为:通过从所述喷嘴和所述气体供给管交替地供给吹扫气体而使所述处理室内升压的子工序;和通过对所述处理室内进行真空排气而使所述处理室内降压的子工序。
7.石英反应管,其具备:
外管和内管,所述外管和所述内管的一端分别封闭;
凸缘,其连接所述外管及所述内管各自的另一端;
排气端口,其与外管和内管之间的排气空间连通;
第1排气口,其设置于内管,将处理气体排出;
供给狭缝,其在所述外管与所述内管之间且与所述第1排气口相对的位置向内管内供给处理气体;
多个第2排气口,其设置在所述凸缘,使所述排气空间的内部与外部连通;和
多个第3排气口,其是在与隔热组件相对的位置处在所述内管上形成开口而成的,所述隔热组件设置在所述内管内的靠近所述凸缘的位置,
所述第2排气口中的至少一个设置在促进在距所述第1排气口远的排气空间中滞留的气体的排气的位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造