[发明专利]存储器和写数据的方法

说明书

一种存储器(300)和写数据的方法。该存储器(300)包括存储单元阵列(310)和控制器(320)，存储单元阵列(310)包括M行×N列存储单元、M根字线和N个位线对。所述N个位线对中的每个位线对包括一根位线和一根源极线。所述存储单元阵列(310)中位于第i行的存储单元连接在所述M根字线的第i根字线上，所述存储单元阵列(310)中位于第j列的存储单元并联在所述N个位线对的第j个位线对的位线以及源极线之间。在获取待写入存储单元阵列(310)中的Q行存储单元的Q行数据之后，所述控制器(320)向P列存储单元中的第j列存储单元中写入第一数值。然后，所述控制器(320)在Q行数据中确定待写入的行，并向第j列存储单元中的所述待写入的行的存储单元并行写入第二数值。该存储器(300)能够提升写效率。

技术领域

本申请涉及集成电路领域，尤其涉及一种存储器和写数据的方法。

背景技术

随着移动设备、便携式设备和无线设备的发展，非易失性随机访问存储器(non-volatile random access memory，NVRAM)得到了广泛的应用。NVRAM具有接近于动态随机存取存储器(dynamic random access memory，DRAM)的读写性能，且一经写入数据，就不需要外界电力来维持其记忆。例如，NVRAM包括电阻性随机存取存储器(resistive randomaccess memory，RRAM)、磁性随机存取存储器(magnetic random access memory，MRAM)以及自旋扭矩转换磁性随机存取存储器(spin-transfer torque magnetic random accessmemory，STT MRAM)等。但是，NVRAM的写效率较低。

发明内容

本申请提供一种存储器和写数据的方法，能够提高存储器的写吞吐量，提高写效率。

第一方面，提供了一种存储器，包括：

存储单元阵列，所述存储单元阵列包括M行×N列存储单元、M根字线和N个位线对，所述N个位线对中的每个位线对包括一根位线和一根源极线，其中，所述存储单元阵列中位于第i行的存储单元连接在所述M根字线的第i根字线上，所述存储单元阵列中位于第j列的存储单元并联在所述N个位线对的位线以及源极线之间，M和N均为大于等于2的整数，i为大于等于0且小于M的整数，j为大于等于0且小于N的整数；

控制器，与所述存储单元阵列连接，并用于：获取待写入所述存储单元阵列中的Q行存储单元的Q行数据，其中，所述Q行数据中的每一行数据包括待写入相应存储单元的P位，其中，所述Q为小于等于M的正整数，P为小于等于N的正整数；对P列存储单元中的第j列存储单元执行复位操作，以使所述第j列存储单元均被写入第一数值；在所述Q行数据确定待写入的行，所述待写入的行的数据的第j位为第二数值；向所述第j列存储单元中的所述待写入的行的存储单元并行写入所述第二数值。

本申请提供的上述存储器，能够在写数据时将数据按列写入存储器中的各存储单元，相较于现有技术中按行写的方式而言，本申请提供了另一种写数据的思路。并且，当待写入的数据的行数多于列数的情况下，本申请提供的存储器能够提升写效率。

在一种可能的实现方式中，所述控制器用于：在一个或多个位线对上施加用于写入所述第一数值的写电压，并在所述Q根字线上施加开启电压以执行所述复位操作，所述一个或多个位线对包括所述第j个位线对；在所述第j个位线对上施加用于写入所述第二数值的写电压，并在所述待写入的行对应的字线上施加开启电压，以向所述待写入的行的存储单元中并行写入所述第二数值。

应理解，在执行复位操作时，可以是依次针对P列存储单元的每一列存储单元，也可以针对该存储单元阵列中的全部存储单元。