[发明专利]半导体元件的驱动电路有效

专利信息
申请号: 201780091742.1 申请日: 2017-06-13
公开(公告)号: CN110741542B 公开(公告)日: 2021-12-14
发明(设计)人: 益原贵志;堀口刚司 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08;H02M1/00;H03K17/08;H03K17/687
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 元件 驱动 电路
【权利要求书】:

1.一种半导体元件的驱动电路,其具有:

控制部,其用于基于从外部接收的指令而控制半导体元件的通断状态;

栅极电压检测部,其用于检测所述半导体元件的栅极电压,生成表示检测出的栅极电压的电压检测信号;

栅极电流检测部,其用于检测流入至所述半导体元件的栅极电极的电流,输出通过实施延迟运算处理而生成的电流检测值;

信号生成电路,其用于生成所述电压检测信号和所述电压检测信号的第1延迟信号之间的第1差分放大信号、所述第1延迟信号和所述电压检测信号的第2延迟信号之间的第2差分放大信号、以及所述电压检测信号的微分信号的任意者而作为输出信号;

第1比较器,其用于对所述输出信号的值和第1基准值进行比较;

第2比较器,其用于对由所述栅极电流检测部检测出的所述电流检测值和第2基准值进行比较;以及

短路判定部,其用于基于所述第1比较器的比较结果和所述第2比较器的比较结果,判定所述半导体元件是否为短路状态,生成表示判定结果的判定信号,

所述短路判定部当在同一时刻所述输出信号的值大于所述第1基准值并且所述电流检测值小于所述第2基准值的情况下,判定为所述半导体元件为短路状态。

2.根据权利要求1所述的半导体元件的驱动电路,其中,

所述信号生成电路包含:

第1延迟电路,其接收所述电压检测信号,生成所述第1延迟信号;以及

第1差分放大电路,其接收所述电压检测信号和所述第1延迟信号,生成所述第1差分放大信号。

3.根据权利要求1所述的半导体元件的驱动电路,其中,

所述信号生成电路包含:

第1延迟电路,其接收所述电压检测信号,输出所述第1延迟信号;

第2延迟电路,其接收所述电压检测信号,输出所述第2延迟信号;以及

第1差分放大电路,其接收所述第1延迟信号和所述第2延迟信号,生成所述第2差分放大信号。

4.根据权利要求1所述的半导体元件的驱动电路,其中,

所述信号生成电路包含微分电路,该微分电路接收所述电压检测信号而生成所述微分信号。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体元件的驱动电路,其中,

所述栅极电流检测部包含:

栅极电阻,其连接于所述控制部与所述半导体元件的栅极电极之间;

第2差分放大电路,其通过对所述栅极电阻的两端间的电压进行放大而生成第3差分放大信号;以及

第3延迟电路,其接收所述第3差分放大信号,生成使该第3差分放大信号延迟后的第3延迟信号,

所述电流检测值是所述第3延迟信号的值。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体元件的驱动电路,其中,

所述栅极电流检测部包含:

栅极电阻,其连接于所述控制部与所述半导体元件的栅极电极之间;

第4延迟电路,其接收所述栅极电阻的所述半导体元件侧的一端的电压信号,生成使该电压信号延迟后的第4延迟信号;

第5延迟电路,其接收所述栅极电阻的所述控制部侧的另一端的电压信号,生成使该电压信号延迟后的第5延迟信号;以及

第2差分放大电路,其接收所述第4延迟信号和所述第5延迟信号,通过对所述第4延迟信号与所述第5延迟信号的差值进行放大而生成第3差分放大信号,

所述电流检测值是所述第3差分放大信号的值。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体元件的驱动电路,其中,

还具有信号保持部,该信号保持部用于在所述短路判定部判定为所述半导体元件为短路状态时对所述判定信号进行保持。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体元件的驱动电路,其中,

在所述判定信号表示所述半导体元件为短路状态的情况下,所述控制部使所述半导体元件成为断开状态。

9.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体元件的驱动电路,其中,

所述第1基准值与所述第2基准值相同。

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