[发明专利]流道结构器件及其制造方法

权利要求书

1.一种流道结构器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供基片，所述基片包括第一部分和与所述第一部分邻接的第二部分；

在所述基片上形成图形化的第一牺牲层，所述第一牺牲层覆盖所述第二部分且露出所述第一部分；

在所述基片的第一部分和所述第一牺牲层上形成第一结构层；

在形成所述第一结构层之后，执行第一抛光处理以露出所述第一牺牲层；

去除所述第一牺牲层以露出所述基片的第二部分的上表面和所述第一结构层的侧面；

在所述基片的第二部分的部分上表面上形成第二牺牲层，其中所述第二牺牲层覆盖所述第一结构层的被露出的侧面；

在所述基片的第二部分、所述第二牺牲层和所述第一结构层上形成第二结构层；

在形成所述第二结构层之后，执行第二抛光处理以露出所述第二牺牲层；以及

利用选择性刻蚀工艺去除所述第二牺牲层以形成流道。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，

在执行所述第二抛光处理的步骤中，还露出所述第一结构层和所述第二结构层；

在利用选择性刻蚀工艺去除所述第二牺牲层之前，所述方法还包括：在所述第二牺牲层、所述第一结构层和所述第二结构层上形成盖帽层。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，

所述形成第一结构层的步骤包括：在所述基片的第一部分和所述第一牺牲层上形成第一材料层，其中所述第一材料层覆盖所述第一牺牲层的侧面；以及在所述第一材料层上形成第一支撑层；其中，所述第一结构层包括：所述第一材料层和所述第一支撑层；

所述形成第二结构层的步骤包括：在所述基片的第二部分、所述第二牺牲层和所述第一结构层上形成第二材料层，所述第二材料层覆盖所述第二牺牲层的侧面；以及在所述第二材料层上形成第二支撑层；其中，所述第二结构层包括：所述第二材料层和所述第二支撑层。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，

在去除所述第一牺牲层以露出所述第一结构层的侧面的步骤中，所露出的所述第一结构层的侧面为所述第一材料层的侧面；

在形成第二牺牲层的步骤中，所述第二牺牲层覆盖所述第一材料层的被露出的侧面。

5.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，

在执行所述第二抛光处理的步骤中，还露出所述第一材料层、所述第一支撑层、所述第二材料层和所述第二支撑层；

在利用选择性刻蚀工艺去除所述第二牺牲层之前，所述方法还包括：在所述第二牺牲层、所述第一材料层、所述第一支撑层、所述第二材料层和所述第二支撑层上形成盖帽层。

6.根据权利要求2或5所述的制造方法，其特征在于，

所述盖帽层的材料包括：绝缘介质材料或半导体材料；

所述盖帽层的厚度范围为1纳米至10微米。

7.根据权利要求2或5所述的制造方法，其特征在于，

在利用选择性刻蚀工艺去除所述第二牺牲层的步骤中，从所述第二牺牲层的边缘注入选择性刻蚀液以去除所述第二牺牲层。

8.根据权利要求2或5所述的制造方法，其特征在于，

在利用选择性刻蚀工艺去除所述第二牺牲层之前，所述方法还包括：对所述盖帽层进行刻蚀以形成贯穿所述盖帽层且露出所述第二牺牲层的通孔；

其中，在利用选择性刻蚀工艺去除所述第二牺牲层的步骤中，从所述通孔注入选择性刻蚀液以去除所述第二牺牲层。

9.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，

所述第一材料层的一部分在所述第一支撑层与所述流道之间，所述第一材料层的另一部分在所述第一支撑层与所述基片的第一部分之间；

所述第二材料层的一部分在所述第二支撑层与所述流道之间，所述第二材料层的另一部分在所述第二支撑层与所述基片的第二部分之间。