[发明专利]半导体封装件有效

专利信息
申请号: 201780090706.3 申请日: 2017-05-17
公开(公告)号: CN110612645B 公开(公告)日: 2021-04-02
发明(设计)人: 高木和久 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01S5/02212 分类号: H01S5/02212;H01S5/0232;H01S5/02345
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装
【说明书】:

在管座(1)安装有多波长集成元件(5),该多波长集成元件(5)具有多个半导体激光器(6)以及分别对多个半导体激光器(6)的输出光进行调制的多个调制器(7)。多个引线(10)贯穿管座(1),分别与多个半导体激光器(6)以及多个调制器(7)连接。各引线(10)是多个层以同心圆状重叠的同轴线路。同轴线路具有:高频信号线(12),其向调制器(7)传输高频信号;GND线(14);以及供电线(16),其向半导体激光器(6)供给直流电流。高频信号线(12)配置在同轴线路的中央。GND线(14)以及供电线(16)配置在高频信号线(12)的外侧。

技术领域

本发明涉及半导体封装件。

背景技术

就单片集成化半导体元件而言,在n型InP衬底之上集成有波长彼此不同的4个分布反馈型半导体激光器和4个电场吸收型光调制器。来自各调制器的光输出经由弯曲波导通路而被MMI(Multi Mode Interferometer)合波器合波,从单一波导通路的端面输出。在激光器的背后集成有波导通路型的监视PD。

这样,通过集成多个功能元件,从而与现有的排列了4个单通道元件的构造相比,能够小型化。另外,能够削减光合波器等光学部件的数量。因此,制造工序中的光轴调整变得简单,能够廉价地提供产品。

以往的多波长集成EML(Electro-absorption Modulated Laser diode)搭载于箱型封装件,与单通道EML封装件相比,是大型的(例如,参照非专利文献1)。因此,存在不能得到集成了多个波长的EML而成的单片元件的小型化的优点这样的问题。另一方面,就单通道用EML而言,正在推进从箱形向尺寸小的CAN封装件的过渡(例如,专利文献1)。

专利文献1:日本专利第5188675号公报

非专利文献1:“NTT技術ジャーナル”2012-10p53

发明内容

在将多波长EML元件安装于CAN封装件的情况下,为了在串扰小的状态下向多个EML供给高频信号,无法对各调制器使用单一的引线管脚。为了向多个EML供给DC电压/电流,除了当前的LD电流源、针对监视PD的电压源、针对帕尔贴元件的电流源的3根引线以外,还需要对应于集成量的LD电流源、针对监视PD的电压源用引线管脚。因此,CAN封装件因管脚数量的增加而大型化,因此存在难以小型化这样的问题。

本发明就是为了解决上述这样的课题而提出的,其目的在于得到一种能够在串扰小的状态下向多个调制器供给高频信号、能够抑制引线管脚数的增加的半导体封装件。

本发明涉及的半导体封装件的特征在于,具备:管座;多波长集成元件,其安装于所述管座,该多波长集成元件具有多个半导体激光器以及分别对所述多个半导体激光器的输出光进行调制的多个调制器;以及多个引线,它们贯穿所述管座,分别与所述多个半导体激光器和所述多个调制器连接,各引线是多个层以同心圆状重叠的同轴线路,所述同轴线路具有:高频信号线,其向所述调制器传输高频信号;GND线;以及供电线,其向所述半导体激光器供给直流电流,所述高频信号线配置在所述同轴线路的中央,所述GND线以及所述供电线配置在所述高频信号线的外侧。

发明的效果

在本发明中,各引线是多个层以同心圆状重叠的同轴线路。由此,不需要针对信号线、GND线、供电线各自设置单独的引线管脚,因此能够抑制管脚数量的增加。另外,高频信号线配置在同轴线路的中央,GND线配置在高频信号线的外侧。由此,高频信号线被GND线屏蔽,因此能够以串扰小的状态向多个调制器供给高频信号。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式1涉及的半导体封装件的侧视图。

图2是表示本发明的实施方式1涉及的半导体封装件的俯视图。

图3是表示本发明的实施方式1涉及的引线的横截面图。

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