[发明专利]用于射频(RF)发送器中的极坐标信号的插补方法在审
申请号: | 201780089026.X | 申请日: | 2017-03-30 |
公开(公告)号: | CN110495148A | 公开(公告)日: | 2019-11-22 |
发明(设计)人: | 亚力山大·克林坎;欧根·普凡 | 申请(专利权)人: | 英特尔IP公司 |
主分类号: | H04L27/36 | 分类号: | H04L27/36;H04B1/04 |
代理公司: | 11258 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 邓素敏<国际申请>=PCT/US2017 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 插补 样本 选择度 估计电路 选择电路 采样率 电路 关联 极坐标信号 接收输入 输入同相 极坐标 自适应 正交 配置 | ||
1.一种用于对RF发送器中的极坐标信号进行插补的装置,包括:
估计电路,所述估计电路被配置为:
接收输入同相(I)正交(Q)信号,该输入IQ信号包括多个输入IQ样本,所述多个输入IQ样本具有与之相关联的第一采样率;并且
基于所述输入IQ信号来确定与预定选择度量相关联的选择度量值,其中所述选择度量值指示与所述输入IQ信号的一个或多个输入IQ样本相关联的IQ轨迹相对于IQ平面的原点的位置;以及
选择电路,所述选择电路被耦合到所述估计电路,并且所述选择电路被配置为:
接收所述输入IQ信号和所述选择度量值;并且
基于所述选择度量值来自适应地将所述输入IQ信号提供到实现第一插补方法的第一插补电路或者提供到实现不同的第二插补方法的第二插补电路,以从所述输入IQ信号生成处于不同的第二采样率的插补极坐标样本。
2.如权利要求1所述的装置,其中所述第一插补电路包括被配置为实现映射线性插补方法的映射线性插补电路,所述映射线性插补方法包括:基于如下映射从处于包括较低采样率的所述第一采样率的所述输入IQ信号生成处于包括较高采样率的所述第二采样率的所述插补极坐标样本,所述映射是从与所述输入IQ信号的IQ轨迹相关联的IQ样本基于指示所述IQ样本的极坐标表示的一个或多个预定函数到处于所述较高采样率的极坐标样本的映射。
3.如权利要求2所述的装置,其中所述选择电路被配置为:在所述选择度量值在第一预定范围内时,将所述输入IQ信号提供到所述映射线性插补电路。
4.如权利要求3所述的装置,其中所述第二插补电路包括被配置为实现极坐标插补方法的极坐标插补电路,所述极坐标插补方法包括:将处于所述较低采样率的所述输入IQ信号转换成处于所述较低采样率的极坐标样本,从而形成低速率极坐标样本,以及对所述低速率极坐标样本进行插补以生成处于所述较高采样率的所述插补极坐标样本。
5.如权利要求4所述的装置,其中所述选择电路被配置为:在所述选择度量值在不同的第二预定范围内时,将所述输入IQ信号提供到所述极坐标插补电路。
6.如权利要求2所述的装置,其中所述映射线性插补电路包括:
位移计算电路,所述位移计算电路被配置为:
接收所述输入IQ信号;并且
基于接收到的输入IQ信号和关于所要求的插补比率的信息,确定一组正规化位移值,其中所述一组正规化位移值与所述较高采样率相关联;以及
输出生成电路,所述输出生成电路被配置为:
基于在所述位移计算电路处确定的所述一组正规化位移值和所述预定函数之间的相关性,生成处于所述较高采样率的一组插补极坐标样本,所述预定函数包括指示如下项的正规化位移的预定函数:与所述输入IQ信号相关联的所述插补极坐标样本的相位角度值、或者与所述输入IQ信号相关联的所述插补极坐标样本的半径值、或者这两者。
7.如权利要求6所述的装置,其中所述位移计算电路还被配置为:
基于与所述输入IQ信号相关联的IQ轨迹或者与所述IQ轨迹相关联的矢量的旋转,来正规化所述输入IQ信号;并且
基于所述插补比率来确定要针对所述IQ轨迹生成的插补极坐标样本的数目、插补极坐标样本的初始时间偏移、以及相继插补极坐标样本之间的时间差,以确定所述一组正规化位移值,
其中要针对所述IQ轨迹生成的插补极坐标样本的数目对应于在所述位移计算电路处生成的所述一组正规化位移值中的正规化位移值的数目。
8.如权利要求6-7中任何一项所述的装置,其中所述正规化位移的预定函数包括预定相位角度函数,所述预定相位角度函数促进基于正规化位移值的信息来确定与插补极坐标样本相关联的相位角度。
9.如权利要求8所述的装置,其中所述正规化位移的预定函数还包括预定半径函数,所述预定半径函数促进基于正规化位移值的信息来确定与插补极坐标样本相关联的半径。
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