[发明专利]中空封装器件及其制造方法

权利要求书

1.一种中空封装器件的制造方法，其特征在于，具备以下工序：

通过金属膏的图案化在第1基板的主面同时形成凸块和环状的封装框；

在第2基板的主面形成具有比所述封装框的宽度窄的宽度的环状的凸部；以及

使所述第1基板的所述主面和所述第2基板的所述主面相对而进行对准，将所述封装框和所述凸部接合，并且将所述凸块与所述第2基板电接合，

所述凸部的高度是接合后的所述第1基板和所述第2基板的间隔的0.4～0.7倍，

接合后的所述封装框至少在所述凸部的正下方呈金属颗粒间的空隙孤立的状态或者完全块化。

2.根据权利要求1所述的中空封装器件的制造方法，其特征在于，

还具备在所述第2基板的所述主面形成覆盖所述凸部的第1金属膜和与所述第2基板的通路孔电连接的第2金属膜的工序，

使所述凸部隔着所述第1金属膜与所述封装框接合，使所述凸块隔着所述第2金属膜与所述通路孔电接合。

3.一种中空封装器件的制造方法，其特征在于，具备以下工序：

通过金属膏的图案化在第1基板的主面同时形成凸块和环状的封装框；

在第2基板的主面形成具有比所述封装框的宽度窄的宽度的环状的第1凸部和具有比所述凸块的宽度窄的宽度的第2凸部；以及

使所述第1基板的所述主面和所述第2基板的所述主面相对而进行对准，将所述封装框和所述第1凸部接合，将所述凸块和所述第2凸部接合，并且将所述凸块与所述第2基板电接合，

所述第1凸部的高度是接合后的所述第1基板和所述第2基板的间隔的0.4～0.7倍，

接合后的所述封装框至少在所述第1凸部的正下方呈金属颗粒间的空隙孤立的状态或者完全块化。

4.根据权利要求3所述的中空封装器件的制造方法，其特征在于，

所述第2凸部完全嵌入所述凸块。

5.根据权利要求3或4所述的中空封装器件的制造方法，其特征在于，

还具备在所述第2基板的所述主面形成覆盖所述第1凸部的第1金属膜和覆盖所述第2凸部的第2金属膜的工序，

使所述第1凸部隔着所述第1金属膜与所述封装框接合，使所述第2凸部隔着所述第2金属膜与所述凸块接合。

6.根据权利要求5所述的中空封装器件的制造方法，其特征在于，

所述第2金属膜与所述第2基板的通路孔电连接。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的中空封装器件的制造方法，其特征在于，

还具备在所述第1基板的主面形成金属膜的工序，

在所述金属膜之上形成所述封装框和所述凸块。

8.根据权利要求5所述的中空封装器件的制造方法，其特征在于，

还具备在所述第1基板的主面形成金属膜的工序，

在所述金属膜之上形成所述封装框和所述凸块。

9.根据权利要求6所述的中空封装器件的制造方法，其特征在于，

还具备在所述第1基板的主面形成金属膜的工序，

在所述金属膜之上形成所述封装框和所述凸块。

10.一种中空封装器件，其特征在于，具备：

第1基板；

环状的封装框，其形成于所述第1基板的主面；

凸块，其形成于所述第1基板的所述主面；

第2基板，其具有与所述第1基板的所述主面相对的主面；以及

环状的凸部，其形成于所述第2基板的所述主面，具有比所述封装框的宽度窄的宽度，

所述封装框和所述凸部接合，

所述凸块与所述第2基板电接合，

所述凸部的高度是所述第1基板和所述第2基板的间隔的0.4～0.7倍，

所述封装框与所述凸块通过金属膏形成，

所述封装框至少在所述凸部的正下方呈金属颗粒间的空隙孤立的状态或者完全块化。

11.一种中空封装器件，其特征在于，具备：

第1基板；

环状的封装框，其形成于所述第1基板的主面；

凸块，其形成于所述第1基板的所述主面；

第2基板，其具有与所述第1基板的所述主面相对的主面；

环状的第1凸部，其形成于所述第2基板的所述主面，具有比所述封装框的宽度窄的宽度；以及

第2凸部，其形成于第2基板的所述主面，具有比所述凸块的宽度窄的宽度，

所述封装框和所述第1凸部接合，

所述凸块和所述第2凸部接合，

所述凸块与所述第2基板电接合，

所述第1凸部的高度是所述第1基板和所述第2基板的间隔的0.4～0.7倍，

所述封装框与所述凸块通过金属膏形成，

所述封装框至少在所述第1凸部的正下方呈金属颗粒间的空隙孤立的状态或者完全块化。