[发明专利]铝多孔体和用于生产铝多孔体的方法

权利要求书

1.一种铝多孔体，其包括具有三维网络结构的骨架，

其中，所述骨架是由包含碳化铝的铝层形成的，以及

当通过X射线衍射方法测量所述铝多孔体时，在30.8°以上且31.5°以下的2θ范围以及31.6°以上且32.3°以下的2θ范围内的两个峰位置探测到源自碳化铝的衍射峰。

2.根据权利要求1所述的铝多孔体，其中，所述骨架具有0.5质量％以上且1.8质量％以下的含量的碳化铝。

3.根据权利要求1或2所述的铝多孔体，其中，所述铝多孔体具有0.8MPa以上的拉伸强度。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的铝多孔体，其中，所述铝多孔体具有1.6％以上的断裂伸长率。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的铝多孔体，其中，所述铝多孔体的骨架具有0.5Gpa以上且2.0Gpa以下的硬度H，所述硬度是用纳米压痕仪测量的。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的铝多孔体，其中，构成所述骨架的所述铝层的晶粒具有2.0μm以上且10.0μm以下的数均晶粒尺寸。

7.一种用于生产根据权利要求1所述的铝多孔体的方法，所述方法包括如下步骤：

赋予导电性的处理步骤，对树脂成型体的骨架表面进行赋予导电性的处理以赋予导电性，所述骨架具有三维网络结构，

电解处理步骤，在电解质溶液中对所述赋予导电性的处理步骤后的所述树脂成型体进行电解处理以通过在所述骨架表面上电沉积铝来提供树脂结构；

树脂除去步骤，通过热处理所述树脂结构或通过用酸或碱溶解所述树脂结构来除去所述树脂结构，从而除去所述树脂成型体，以提供铝多孔体；以及

结晶步骤；

其中，在所述电解处理步骤中使用的所述电解质溶液包含作为组分的：

(A)卤化铝；

(B)选自烷基咪唑鎓卤化物、烷基吡啶鎓卤化物和脲类化合物中的一种或多种化合物；和

(C)含有碳原子的添加剂，所述添加剂被结合到电沉积在所述树脂成型体的骨架表面上的铝中，

其中，所述组分(A)与所述组分(B)的摩尔混合比率在1∶1至3∶1的范围内，以及

通过在650℃以上且680℃以下的气氛中，在1.0×10^-2Pa以下的真空中通过热处理所述树脂结构来进行所述树脂除去步骤和所述结晶步骤中的每一个。

8.一种用于生产根据权利要求1所述的铝多孔体的方法，所述方法包括如下步骤：

赋予导电性的处理步骤，对树脂成型体的骨架表面进行赋予导电性的处理以赋予导电性，所述骨架具有三维网络结构，

电解处理步骤，在电解质溶液中对所述赋予导电性的处理步骤后的所述树脂成型体进行电解处理以通过在所述骨架表面上电沉积铝来提供树脂结构；

树脂除去步骤，通过热处理所述树脂结构或通过用酸或碱溶解所述树脂结构来除去所述树脂结构，从而除去所述树脂成型体，以提供铝多孔体；以及

结晶步骤；

其中，在所述电解处理步骤中使用的所述电解质溶液包含作为组分的：

(A)卤化铝；

(B)选自烷基咪唑鎓卤化物、烷基吡啶鎓卤化物和脲类化合物中的一种或多种化合物；和

(C)含有碳原子的添加剂，所述添加剂被结合到电沉积在所述树脂成型体的骨架表面上的铝中，

其中，所述组分(A)与所述组分(B)的摩尔混合比率在1∶1至3∶1的范围内，

通过溶解和除去来进行所述树脂除去步骤，以及

通过在650℃以上且680℃以下的气氛中，在1.0×10^-2Pa以下的真空中通过热处理所述树脂结构来进行所述结晶步骤。

9.一种用于生产根据权利要求1所述的铝多孔体的方法，所述方法包括如下步骤：

赋予导电性的处理步骤，对树脂成型体的骨架表面进行赋予导电性的处理以赋予导电性，所述骨架具有三维网络结构，

电解处理步骤，在电解质溶液中对所述赋予导电性的处理步骤后的所述树脂成型体进行电解处理以通过在所述骨架表面上电沉积铝来提供树脂结构；

树脂除去步骤，通过热处理所述树脂结构或通过用酸或碱溶解所述树脂结构来除去所述树脂结构，从而除去所述树脂成型体，以提供铝多孔体；以及

结晶步骤；

其中，在所述电解处理步骤中使用的所述电解质溶液包含作为组分的：

(A)卤化铝；

(B)选自烷基咪唑鎓卤化物、烷基吡啶鎓卤化物和脲类化合物中的一种或多种化合物；和

(C)含有碳原子的添加剂，所述添加剂被结合到电沉积在所述树脂成型体的骨架表面上的铝中，

其中，所述组分(A)与所述组分(B)的摩尔混合比率在1∶1至3∶1的范围内，

通过在空气气氛中在400℃以上温度下热处理所述树脂结构来进行所述树脂除去步骤，以及

通过在650℃以上且680℃以下的气氛中，在1.0×10^-2Pa以下的真空中通过热处理所述树脂结构来进行所述结晶步骤。