[发明专利]二次电池在审
申请号: | 201780088140.0 | 申请日: | 2017-03-07 |
公开(公告)号: | CN110392954A | 公开(公告)日: | 2019-10-29 |
发明(设计)人: | 室屋祐二;成冈庆纪 | 申请(专利权)人: | 远景AESC日本有限公司;雷诺两合公司 |
主分类号: | H01M10/0585 | 分类号: | H01M10/0585;H01M4/70;H01M10/04 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 负极活性物质层 二次电池 活性物质区域 非活性物质 负极 负极集电体 配置 褶皱 负极活性物质 分界 狭缝 | ||
本发明提供一种可抑制在负极产生以非活性物质区域与活性物质区域之间的分界为起点的褶皱的二次电池。一种二次电池,该二次电池包括负极,该负极具有配置有负极活性物质层的负极集电体(32),该负极活性物质层具有含有硅的负极活性物质,其中,负极集电体(32)具有:活性物质区域(40),其配置有负极活性物质层;非活性物质区域(46),其未配置有负极活性物质层;以及狭缝(36),其自非活性物质区域(46)延长到活性物质区域(40)。
技术领域
本发明涉及一种二次电池。
背景技术
二次电池至少具有1个发电元件。发电元件具有:正极,其具有配置有正极活性物质层的集电体;电解质层,其保持电解质;以及负极,其具有配置有负极活性物质层的集电体。负极集电体具有配置有负极活性物质层的活性物质区域和未配置有负极活性物质层的非活性物质区域。
近年来,以增大容量为目的而将含有硅的负极活性物质应用于负极活性物质层(例如参照专利文献1。)。
专利文献1:国际公开第01/029918号
发明内容
但是,硅因二次电池的充放电而产生体积变化。因此,在含有硅的活性物质区域中,会产生伸缩,在不含有硅的非活性物质区域中,不会产生伸缩。
由此,产生由负极的活性物质区域中的伸缩尺寸和非活性物质区域中的伸缩尺寸的差导致的应力,存在产生以非活性物质区域与活性物质区域之间的分界为起点的褶皱的问题。例如,褶皱因二次电池重复充放电而增大,且到达作为电极进行反应的部位(即与正极相对的部位),引起正极与负极的电极间距离的不均匀化,其结果,有可能使循环特性(寿命)变差。
本发明是鉴于上述问题而做出的,其目的在于,提供一种可抑制在负极产生以非活性物质区域与活性物质区域之间的分界为起点的褶皱的二次电池。
为了实现上述目的,本发明提供一种二次电池,该二次电池具有负极,该负极具有配置有负极活性物质层的负极集电体,该负极活性物质层具有含有硅的负极活性物质,其中,所述负极集电体具有:活性物质区域,其配置有所述负极活性物质层;非活性物质区域,其未配置有所述负极活性物质层;以及狭缝,其自所述非活性物质区域延长到所述活性物质区域。
在本发明中,自非活性物质区域延长到活性物质区域的狭缝缓和二次电池的充放电时在负极产生的应力。因此,即使硅的体积变化较大,也能够抑制产生以非活性物质区域与活性物质区域之间的分界为起点的褶皱。因而,能够提供一种可抑制在负极产生以非活性物质区域与活性物质区域之间的分界为起点的褶皱的二次电池。
通过参照在之后的说明和附图中例示的优选实施方式,本发明的其他目的、特征以及特质变得明确。
附图说明
图1是用于说明本发明的实施方式的二次电池的立体图。
图2是图1所示的二次电池的剖视图。
图3是用于说明图2所示的电池主体部和发电元件的剖视图。
图4是用于说明图3所示的负极的俯视图。
图5是用于说明图3所示的正极的俯视图。
图6是用于说明图4所示的狭缝的放大图。
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