[发明专利]防污膜在审

专利信息
申请号: 201780087978.8 申请日: 2017-12-28
公开(公告)号: CN110573649A 公开(公告)日: 2019-12-13
发明(设计)人: 何伟祥;何畊纬 申请(专利权)人: 德扬科技股份有限公司
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C23C14/54;C23C14/56
代理公司: 11314 北京戈程知识产权代理有限公司 代理人: 程伟
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;TW
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摘要:
搜索关键词: 基板 使用寿命 防污膜 靶材 溅射 沉积 电解 蒸发 激光 制作
【权利要求书】:

1.一种用于薄膜沉积工艺(例如溅射工艺)的防污膜,所述防污膜包含

在薄膜沉积工艺中捕集散射离子的一软片材;

其中,所述软片材是可操作的以在所述薄膜沉积工艺中保持完整性。

2.根据权利要求1所述的防污膜,其中

所述软片材包含一层金属。

3.根据权利要求1或2所述的防污膜,其中

所述软片材至少包含一铁磁材料。

4.根据任一项前述权利要求所述的防污膜,其中

所述软片材包含一实质上纯的材料、所述纯的材料的氧化物或两者的组合。

5.根据任一项前述权利要求所述的防污膜,其中

所述软片材还包含一粗糙化的表面。

6.根据权利要求5所述的防污膜,其中

所述粗糙化的表面包含一不均匀的表面。

7.根据任一项前述权利要求所述的防污膜,其中

所述软片材的厚度实质上是1微米到1毫米(1μm-1mm)。

8.一种薄膜沉积设备,包含:

一罩壳,包含其表面的至少一部分被任一项前述权利要求所述防污膜覆盖。

9.根据权利要求8所述的薄膜沉积设备还包含:

一用于紧固薄膜生长用基板的固定架;以及

至少一用于约束带电等离子体粒子的溅射源;

所述罩壳包含一容器,其具有一用于容纳所述固定架及所述至少一个溅射源的容器壁;而且

所述容器壁的至少一部分被任一项前述权利要求所述防污膜覆盖。

10.根据权利要求9所述的薄膜沉积设备,其中

所述容器壁的至少一部分包含被权利要求1至7任一项所述的第一防污膜覆盖的第一内表面;以及被权利要求1至7任一项所述的第二防污膜覆盖的第二个内表面。

11.一种用于薄膜沉积工艺的防污膜的制作方法,包含:

提供一用于捕集散射离子的软片材;

露出所述软片材的至少一部分;

对所述软片材至少一部分的表面进行粗糙化处理;以及

自所述软片材拆离所述的至少一部分。

12.根据权利要求10所述的方法,其中

对所述软片材至少一部分的表面进行的粗糙化处理包含对所述表面进行一电解程序。

13.根据权利要求10或11所述的方法,其中

对所述软片材至少一部分的表面进行的粗糙化处理包含对所述软片材至少一部分的表面创造表面结构。

14.根据权利要求10至12任一项所述的方法还包含

对所述软片材的至少一部分的表面进行氧化。

15.根据权利要求10至13任一项所述的方法还包含

将一基片贴附到所述软片材上。

16.一种用于薄膜沉积工艺的防污膜的使用方法,该方法包含:

提供一根据权利要求1至7任一项所述的防污膜;

提供一薄膜沉积设备;

将所述防污膜贴附到所述薄膜沉积设备的设备壁上。

17.根据权利要求15所述的方法还包含

进行薄膜沉积工艺。

18.根据权利要求15或16所述的方法还包含

将所述防污膜从所述设备壁上移除。

19.根据权利要求15或16所述的方法还包含

对所述用于薄膜沉积工艺的设备壁进行处理。

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