[发明专利]光波长转换部件及发光装置有效
申请号: | 201780087449.8 | 申请日: | 2017-11-10 |
公开(公告)号: | CN110325884B | 公开(公告)日: | 2022-05-03 |
发明(设计)人: | 伊藤经之;胜祐介;高久翔平 | 申请(专利权)人: | 日本特殊陶业株式会社 |
主分类号: | G02B5/20 | 分类号: | G02B5/20;C09K11/08;C09K11/80;G02B5/28;H01L33/50;H01S5/02 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 熊传芳;苏卉 |
地址: | 日本爱知*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 波长 转换 部件 发光 装置 | ||
本发明提供一种光波长转换部件及发光装置,能够抑制色斑且能够提高光提取效率而提高发光强度。光波长转换部件(9)具备由以Al2O3和用A3B5O12:Ce表示的成分作为主成分的多晶体构成的陶瓷板(11),A3B5O12中的A和B为从下述元素组中选择的至少一种元素。A:Sc、Y、除Ce以外的镧系元素,B:Al、Ga。另外,在陶瓷板(11)的光入射面(11a)形成有使特定波长透射或反射的电介体多层膜(13)。而且,陶瓷板(11)的气孔率为2体积%以下且平均表面粗糙度(算术平均粗糙度Sa)为0.5μm以下。
技术领域
本发明涉及一种例如用于头灯、照明、投影仪等各种光学设备的能够进行光的波长的转换的光波长转换部件及具备光波长转换部件的发光装置。
背景技术
在头灯、各种照明设备等中,通过利用荧光体对发光二极管(LED:Light EmittingDiode)、半导体激光器(LD:Laser Diode)的蓝色光进行波长转换而得到白色的装置成为主流。
作为荧光体,公知树脂类、玻璃类等,但是,近年来,光源的高输出化正在推进,对荧光体寻求更高的耐久度,因此关注聚集于陶瓷荧光体。
作为该陶瓷荧光体,公知由Y3Al5O12:Ce(YAG:Ce)代表地Ce活化在石榴石结构(A3B5O12)的成分中而得到的荧光体。
另外,在例如下述专利文献1所记载的技术中,通过使YAG:Ce复合到Al2O3中,使耐热性、导热性提升。即,在该技术中,通过包含Al2O3,具有比YAG:Ce单一组成高的导热性,作为结果,耐热性、耐激光器输出性提升。
此外,该专利文献1所记载的技术涉及具备由Al2O3构成的基体相、由以一般式A3B5O12:Ce(A为从Y、Gd、Tb、Yb及Lu中选择的至少一种,B为从Al、Ga及Sc中选择的至少一种)表示的物质构成的主荧光体相以及CeAl11O18相的烧成体。
另外,近年来,如下述专利文献2所记载地,为了提高从荧光体中的波长转换层的光提取效率,提出了在主放射侧形成气孔率较高的薄膜的技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利第5740017号公报
专利文献2:日本特开2016-60859号公报
发明内容
发明要解决的课题
不过,在上述的以往技术中,存在下述这样的问题而寻求其改进。
具体地说,在所述专利文献1所记载的技术中,为了防止与烧成过程中的Ce挥发相伴的色斑(即色差),使CeAl11O18散布在组织中。但是,作为第三成分的CeAl11O18吸收光而成为减弱荧光强度的主要原因。由此,需要使荧光体的厚度极限地变薄等来进行应对,但薄片化会损害作为结构体的荧光体的耐久度。
此外,该专利文献1所记载的化合物为Ce:YAG类的生成物,但是,在其他材料类(例如CeAlO3、NdAl11O18等的材料类)中,相同的第三成分的存在也可能成为发光强度降低的主要原因。
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