[发明专利]砷化镓晶体和砷化镓晶体基板在审

申请号：	201780087442.6	申请日：	2017-07-04
公开（公告）号：	CN110325672A	公开（公告）日：	2019-10-11
发明（设计）人：	福永宽;秋田胜史;石川幸雄	申请（专利权）人：	住友电气工业株式会社
主分类号：	C30B29/42	分类号：	C30B29/42
代理公司：	中原信达知识产权代理有限责任公司 11219	代理人：	王海川;牛嵩林
地址：	日本大阪***	国省代码：	日本;JP
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摘要：
搜索关键词：	砷化镓晶体基板晶体的蚀坑
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【说明书】：

在砷化镓晶体中，所述砷化镓晶体的蚀坑密度为10个·cm^‑2以上且10000个·cm^‑2以下，并且所述砷化镓晶体的氧浓度小于7.0×10¹⁵原子·cm^‑3。在砷化镓晶体基板中，所述砷化镓晶体基板的蚀坑密度为10个·cm^‑2以上且10000个·cm^‑2以下，并且所述砷化镓晶体基板的氧浓度小于7.0×10¹⁵原子·cm^‑3。

技术领域

本发明涉及砷化镓晶体和砷化镓晶体基板。

背景技术

化合物半导体基板如砷化镓晶体基板已经适合用作半导体器件的基板。需要开发一种在其上可以生长高品质的外延层的化合物半导体基板以形成具有高特性的半导体器件。

T.Bunger等人在国际化合物半导体制造技术会议(2003)3.5(InternationalConference on Compound Semiconductor Mfg.(2003)3.5)中提出的“半绝缘GaAs的垂直梯度凝固法生长期间的活性炭控制(Active Carbon Control During VGF Growth ofSemiinsulating GaAs)”(非专利文献1))公开了：为了生长半绝缘GaAs(砷化镓)晶体，通过调节GaAs原料熔体中的氧浓度来调节GaAs晶体中的碳浓度。

现有技术文献

非专利文献

NPL 1：T.Bunger等，在国际化合物半导体制造技术会议(2003)3.5(International Conference on Compound Semiconductor Mfg.(2003)3.5)中提出的“半绝缘GaAs的垂直梯度凝固法生长期间的活性炭控制(Active Carbon Control During VGFGrowth of Semiinsulating GaAs)”

发明内容

在根据本公开的砷化镓晶体中，砷化镓晶体的蚀坑密度为10个·cm^-2以上且10000个·cm^-2以下，并且砷化镓晶体的氧浓度小于7.0×10¹⁵原子·cm^-3。

在根据本公开的砷化镓晶体基板中，砷化镓晶体基板的蚀坑密度为10个·cm^-2以上且10000个·cm^-2以下，并且砷化镓晶体基板的氧浓度小于7.0×10¹⁵原子·cm^-3。

附图说明

图1是显示本公开中的砷化镓晶体的示例性制造方法和制造装置的示意截面图。

图2是显示本公开中的砷化镓晶体的制造方法和制造装置中使用的示例性遮蔽板的示意俯视图。

图3是显示砷化镓晶体的示例性典型制造方法和制造装置的示意截面图。

图4是显示砷化镓晶体基板中的EPD(蚀坑密度)与氧浓度之间的关系的图。

图5是显示砷化镓晶体基板中的氧浓度与硼浓度之间的关系的图。

具体实施方式

[本公开要解决的问题]

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