[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201780087203.0 | 申请日： | 2017-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN110326090A | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 角野翼;日坂隆行 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/338 | 分类号： | H01L21/338;H01L29/812 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 最下层 半导体层 栅极电极 上层 半导体装置 两端部 翘起 制造 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
半导体层；以及
栅极电极，其形成于所述半导体层之上，至少具有最下层和上层，该最下层与所述半导体层接触，该上层形成于所述最下层之上，
所述上层向所述最下层产生应力而导致所述最下层的两端部从所述半导体层翘起。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述最下层是Pt层，所述上层是Ti层。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
所述最下层的中央部与所述半导体层固相反应。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
还具备保护膜，该保护膜对翘起的所述最下层的所述两端部进行包覆。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
所述保护膜是原子层交替排列的原子层沉积膜。
6.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备以下工序：
在半导体层之上形成栅极电极的工序，该栅极电极至少具有最下层和上层，该最下层与所述半导体层接触，该上层形成于所述最下层之上；以及
通过进行热处理而从所述上层向所述最下层产生应力，使所述最下层的两端部从所述半导体层翘起的工序。
7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
通过所述热处理而使所述最下层的中央部与所述半导体层固相反应。
8.根据权利要求6或7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
还具备通过原子层沉积法而形成保护膜的工序，该保护膜对翘起的所述最下层的所述两端部进行包覆。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
