[发明专利]氧化物烧结材料、制造氧化物烧结材料的方法、溅射靶和制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种含有铟、钨和锌的氧化物烧结材料，所述氧化物烧结材料包含：

第一晶相，所述第一晶相为所述氧化物烧结材料的主要成分并包含方铁锰矿型晶相；和

第二晶相，所述第二晶相在X射线衍射中在2θ大于34.74°且小于34.97°的位置处具有第一衍射峰，其中

所述氧化物烧结材料具有大于6.4g/cm³且小于等于7.5g/cm³的表观密度，

在所述氧化物烧结材料中相对于铟、钨和锌的总量的钨的含量为大于0.01原子%且小于等于0.5原子%，

在所述氧化物烧结材料中相对于铟、钨和锌的总量的锌的含量为大于等于1.2原子%且小于50原子%，并且

在所述氧化物烧结材料中锌对钨的原子比为大于1.0且小于20000。

2.根据权利要求1所述的氧化物烧结材料，其中在所述氧化物烧结材料中相对于铟、钨和锌的总量的锌的含量为大于等于15原子%且小于50原子%。

3.根据权利要求1所述的氧化物烧结材料，其中在所述氧化物烧结材料中锌对钨的原子比为大于等于15且小于等于100。

4.根据权利要求1所述的氧化物烧结材料，其还包含第三晶相，所述第三晶相为与所述第一晶相不同的晶相并含有锌，其中

所述第三晶相包含具有大于等于3μm且小于等于50μm的平均长轴尺寸并且具有大于等于1.5且小于等于50的平均长径比的粒子。

5.根据权利要求4所述的氧化物烧结材料，其中所述第三晶相包含具有大于等于15μm且小于等于30μm的平均长轴尺寸并且具有大于等于8且小于等于30的平均长径比的粒子。

6.根据权利要求4所述的氧化物烧结材料，其中所述第三晶相分散在所述第一晶相中。

7.根据权利要求4所述的氧化物烧结材料，其中所述第三晶相包含在X射线衍射中在2θ大于31.77°且小于32.00°的位置处具有第二衍射峰的第四晶相。

8.根据权利要求7所述的氧化物烧结材料，其中所述第一衍射峰的峰值强度Ia对所述第二衍射峰的峰值强度Ib之比Ia/Ib为大于等于0.05且小于等于3。

9.根据权利要求8所述的氧化物烧结材料，其中所述第一衍射峰的峰值强度Ia对所述第二衍射峰的峰值强度Ib之比Ia/Ib为大于等于0.2并且小于等于2。

10.根据权利要求4所述的氧化物烧结材料，其中所述第三晶相包含第五晶相，所述第五晶相为钨酸锌化合物晶相。

11.根据权利要求1所述的氧化物烧结材料，其中所述第一晶相还包含钨酸铟化合物晶相。

12.一种溅射靶，所述溅射靶包含权利要求1～11中任一项所述的氧化物烧结材料。

13.一种制造包含氧化物半导体膜的半导体器件的方法，所述方法包括如下步骤：

准备权利要求12所述的溅射靶；和

使用所述溅射靶通过溅射法形成所述氧化物半导体膜。

14.根据权利要求13所述的制造半导体器件的方法，其中，

在所述氧化物半导体膜中相对于铟、钨和锌的总量的钨的含量为大于0.01原子%且小于等于0.5原子%，

在所述氧化物半导体膜中相对于铟、钨和锌的总量的锌的含量为大于等于1.2原子%且小于50原子%，并且

在所述氧化物半导体膜中锌对钨的原子比为大于1.0且小于20000。

15.根据权利要求13所述的制造半导体器件的方法，其中所述氧化物半导体膜由纳米晶体氧化物和无定形氧化物中的至少一种构成。