[发明专利]用于控制抑制电极的热变形及控制离子束的均匀度的装置

权利要求书

1.一种用于控制抑制电极的热变形的装置，包括：

离子源，具有限定离子源室的多个腔室壁且具有提取孔口；

抑制电极，设置在所述离子源室外部且具有抑制孔口、接近所述抑制孔口设置的光学边缘以及设置在离所述抑制孔口最远处的远端边缘；

加热元件，用以加热所述抑制电极的所述远端边缘；

加热器电源，用以向所述加热元件提供电力；以及

控制器，与所述加热器电源连通以便控制所述抑制电极的所述远端边缘的温度以控制所述抑制电极的热变形。

2.根据权利要求1所述的用于控制抑制电极的热变形的装置，其中所述控制器利用开环控制来控制所述抑制电极的所述远端边缘的所述温度。

3.根据权利要求1所述的用于控制抑制电极的热变形的装置，其中所述加热元件设置在所述抑制电极上。

4.根据权利要求1所述的用于控制抑制电极的热变形的装置，其中所述加热元件并不与所述抑制电极直接接触。

5.根据权利要求1所述的用于控制抑制电极的热变形的装置，还包括与所述控制器连通以测量所述抑制电极的至少一部分的温度的热传感器。

6.根据权利要求5所述的用于控制抑制电极的热变形的装置，其中所述热传感器用于测量所述光学边缘的温度且所述控制器基于所述光学边缘的所述温度来控制所述远端边缘的所述温度。

7.根据权利要求5所述的用于控制抑制电极的热变形的装置，其中所述热传感器用于测量所述光学边缘以及所述远端边缘的温度，且所述控制器基于所述光学边缘与所述远端边缘的温度差来控制所述远端边缘的所述温度。

8.根据权利要求5所述的用于控制抑制电极的热变形的装置，其中所述热传感器设置在所述抑制电极上。

9.根据权利要求5所述的用于控制抑制电极的热变形的装置，其中所述热传感器并不与所述抑制电极直接接触。

10.一种用于控制离子束的均匀度的装置，包括：

离子源，具有限定离子源室的多个腔室壁且具有提取离子束的提取孔口；

抑制电极，设置在所述离子源室外部且具有抑制孔口、接近所述抑制孔口设置的光学边缘以及设置在离所述抑制孔口最远处的远端边缘；

加热元件，用以加热所述抑制电极的所述远端边缘；

加热器电源，用以向所述加热元件提供电力；

射束均匀度测绘仪，设置在所述抑制电极的下游处；以及

控制器，与所述加热器电源连通，其中所述控制器利用来自所述射束均匀度测绘仪的信息以通过加热所述抑制电极的所述远端边缘来控制所述离子束的均匀度。

11.根据权利要求10所述的用于控制离子束的均匀度的装置，其中所述加热元件设置在所述抑制电极上。

12.根据权利要求10所述的用于控制离子束的均匀度的装置，其中所述加热元件并不与所述抑制电极直接接触。

13.根据权利要求10所述的用于控制离子束的均匀度的装置，其中所述射束均匀度测绘仪包括布置成将所述离子束的电流或电荷确定为X-Y位置的函数的多个电流或电荷收集器。

14.一种用于控制离子束的均匀度的装置，包括：

抑制电极，设置在离子源室外部且具有抑制孔口、接近所述抑制孔口设置的光学边缘以及设置在离所述抑制孔口最远处的远端边缘，从而使得来自所述离子源的离子穿过所述抑制孔口；

加热元件，用以加热所述抑制电极的所述远端边缘；

加热器电源，用以向所述加热元件提供电力；以及

控制器，与所述加热器电源连通，其中所述控制器至少基于所述光学边缘的温度来确定待提供的所述电力以控制所述抑制电极的热变形。

15.根据权利要求14所述的用于控制离子束的均匀度的装置，还包括用以测量所述抑制电极的所述光学边缘的温度的热传感器。