[发明专利]透明氟基薄膜的形成方法及通过该方法形成的透明氟基薄膜

说明书

本发明一实施例涉及一种透明氟基薄膜的形成方法及通过该方法形成的透明氟基薄膜，所要解决的技术问题是提供透明氟基薄膜的形成方法及通过该方法形成的透明氟基薄膜，该透明氟基薄膜的内部没有孔隙或孔隙极小且具有纳米结构，因此不仅具有高透光率，而且具有高硬度和接合强度，从而能够保护显示装置的透明窗。为此，本发明公开一种透明氟基薄膜的形成方法及通过该方法形成的透明氟基薄膜，所述透明氟基薄膜的形成方法包括：从输送气体供应部接收输送气体，并从粉末供应部接收YF3粉末，从而将所述YF3粉末以气溶胶状态输送的步骤；将气溶胶状态输送的所述YF3粉末撞碎在工艺腔室内的基材上，从而在所述基材上形成YF3透明氟基薄膜的步骤。

技术领域

本发明一实施例涉及一种透明氟基薄膜的形成方法及通过该方法形成的透明氟基薄膜。

背景技术

显示装置通常包括液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)、有机发光二极管显示装置(Organic Light Emitting Display，OLED)、场效应显示装置(Field EffectDisplay，FED)及电泳显示装置(eletrophoretic display device)等。另外，显示装置包括用于显示图像的显示模块和保护显示模块的透明窗(transparent window)。

一方面，在半导体和/或显示装置的制造工艺中，为了确保非常高的蚀刻速率和精致的线宽，使用高腐蚀性的氯基或氟基气体。就这种严酷环境下使用的制造工艺设备而言，为了实现运作优点和延长使用寿命，在设备的表面上设置有对等离子和腐蚀性气体具有高抗性的保护薄膜。

现有技术文献

专利文献1：韩国公开专利公报10-2014-0126824(2014.11.03)

专利文献2：韩国授权专利公报10-1322783(2013.10.29)

发明内容

发明要解决的问题

本发明一实施例提供一种透明氟基薄膜的形成方法及通过该方法形成的透明氟基薄膜，该透明氟基薄膜的孔隙率极小(或填充率极高)且具有纳米结构，因此不仅具有高透光率，而且具有高硬度和接合强度，从而能够保护显示装置的透明窗。

本发明一实施例提供一种透明氟基薄膜的形成方法及通过该方法形成的透明氟基薄膜，该透明氟基薄膜具有高硬度，因此对腐蚀性气体和高速冲撞离子颗粒具有高抗蚀刻性，从而能够在蚀刻工艺中保护半导体/显示器部件。

用于解决问题的技术方案

本发明一实施例的透明氟基薄膜的形成方法，包括：从输送气体供应部接收输送气体，从粉末供应部接收YF3粉末，从而将所述YF3粉末以气溶胶状态输送的步骤；以及将以所述气溶胶状态输送的所述YF3粉末撞碎在工艺腔室内的基材上，从而在所述基材上形成YF3透明氟基薄膜的步骤。

可以以1000℃以下的温度对从所述粉末供应部供应的YF3粉末进行预处理。

当所述YF3透明氟基薄膜的厚度为0.5μm～15μm时，对于可见光的所述YF3透明氟基薄膜的透光率可以在75％以上。

所述YF3透明氟基薄膜中可以不含氧(O)。

所述YF3透明氟基薄膜的孔隙率可以为0.01％～0.1％、硬度可以在8GPa以下且耐电压特性可以为50～150V/μm。