[发明专利]干燥高深宽比特征

权利要求书

1.一种干燥半导体基板的方法，所述方法包括以下步骤：

施加干燥剂至半导体基板，其中所述干燥剂润湿所述半导体基板；

将容纳所述半导体基板的腔室加热至高于所述干燥剂的大气压沸点的温度，直到在所述腔室内达到所述干燥剂的气液平衡；

降低所述腔室内的压力以控制所述干燥剂的蒸发速率，以维持大于或处于50°的接触角；和

使所述腔室通气，其中所述通气使所述干燥剂的液相从所述半导体基板蒸发。

2.如权利要求1所述的干燥半导体基板的方法，进一步包括以下步骤：

压力密封所述腔室内的所述半导体基板；

加热容纳所述半导体基板的所述腔室，所述加热使得所述干燥剂的气相和液相达到蒸气分压与液体饱和压力的平衡；和

继续加热容纳所述半导体基板的所述腔室至至少100℃的温度。

3.如权利要求1所述的干燥半导体基板的方法，其中所述干燥剂可与水混溶。

4.如权利要求3所述的干燥半导体基板的方法，其中所述干燥剂包括异丙醇。

5.如权利要求1所述的干燥半导体基板的方法，其中所述半导体基板包括深宽比大于5的图案化特征，并且其中所述干燥剂完全地润湿所述图案化特征。

6.如权利要求1所述的干燥半导体基板的方法，其中施加所述干燥剂从所述半导体基板完全地移除水。

7.如权利要求6所述的干燥半导体基板的方法，其中施加所述干燥剂包括从所述半导体基板完全地移除除了所述干燥剂以外的任何流体的一个或多个操作。

8.如权利要求1所述的干燥半导体基板的方法，其中藉由以下步骤执行所述加热的步骤：

气密地封闭具有所述半导体基板的所述腔室，包括所施加的干燥剂的所述半导体基板容纳于所述腔室内；

加热所述腔室，致使在所述干燥剂的液相和气相之间达到平衡；和

加热所述腔室至高于所述干燥剂的所述大气压沸点的温度。

9.如权利要求1所述的干燥半导体基板的方法，进一步包括以下步骤：于所述通气后，以惰性前驱物净化所述腔室。

10.一种干燥半导体基板的方法，所述方法包括以下步骤：

施加干燥剂至所述半导体基板，其中所述干燥剂润湿所述半导体基板；

将其中容纳有所述半导体基板的腔室加热，以致使在所述干燥剂的液相和气相之间达到平衡，其中所述加热维持至少一部分的所述干燥剂呈具有大于或处于50°的接触角的液体形式；和

将所述腔室暴露于真空条件，其中所述真空条件从所述腔室蒸发和清除所述干燥剂。

11.如权利要求10所述的干燥半导体基板的方法，其中加热所述腔室是执行至低于150℃的温度。

12.如权利要求10所述的干燥半导体基板的方法，进一步包括以下步骤：

在将所述腔室暴露于真空后，使所述腔室通气至大气条件。

13.如权利要求12所述的干燥半导体基板的方法，进一步包括以下步骤：

以空气或惰性气体净化所述腔室。

14.如权利要求10所述的干燥半导体基板的方法，其中所述干燥剂包括异丙醇或丙酮。

15.如权利要求10所述的干燥半导体基板的方法，其中将所述腔室暴露于真空条件包括将所述腔室内的压力由大气条件降低至低于100托的压力。

16.如权利要求15所述的干燥半导体基板的方法，其中降低所述腔室内的压力发生于少于5分钟的时段中。