[发明专利]光接收器件、光接收器件制造方法、摄像器件和电子设备

说明书

本发明提供一种光接收器件，其包括：多个光电转换层，所述多个光电转换层布置于从平面图看时相互不同的各个区域中并且包括第一光电转换层和第二光电转换层；绝缘膜，其将所述多个光电转换层彼此分开；第一无机半导体材料，其包含于所述第一光电转换层中；以及与所述第一无机半导体材料不同的第二无机半导体材料，其包含于所述第二光电转换层中。

技术领域

本公开涉及例如用于红外线传感器等的光接收器件及其制造方法，还涉及摄像器件和电子设备。

背景技术

近年来，在红外区域具有灵敏度的图像传感器(红外线传感器)已经商业化。例如，如专利文献1所记载的，在用于红外线传感器的光接收器件中，使用了例如包含诸如InGaAs(砷化铟镓)等III-V族半导体的光电转换层，并且在该光电转换层中，通过吸收红外线来产生电荷(进行光电转换)。

引用列表

专利文献

专利文献1：日本专利申请特开No.2014-127499

发明内容

关于前述光接收器件或摄像器件的器件结构，已经提出了各种提案，但是还期望进一步扩宽能够光电转换的波长带域。

因此，本发明期望提供能够在宽的波长带域中进行光电转换的光接收器件、光接收器件制造方法、摄像器件和电子设备。

根据本公开一个实施例的一种光接收器件包括：多个光电转换层，所述多个光电转换层布置于从平面图看时相互不同的各个区域中并且包括第一光电转换层和第二光电转换层；绝缘膜，其将所述多个光电转换层彼此分开；第一无机半导体材料，其包含于所述第一光电转换层中；以及与所述第一无机半导体材料不同的第二无机半导体材料，其包含于所述第二光电转换层中。

根据本公开一个实施例的一种光接收器件制造方法包括：在设置于从平面图看时相互不同的各个区域中并且通过绝缘膜彼此分开的多个光电转换层之中，将第一光电转换层形成为包括第一无机半导体材料，并且将第二光电转换层形成为包括与所述第一无机半导体材料不同的第二无机半导体材料。

在根据各个实施例的光接收器件和光接收器件制造方法中，第一光电转换层和第二光电转换层包括彼此不同的无机半导体材料(第一无机半导体材料和第二无机半导体材料)；因此，在第一光电转换层和第二光电转换层每一者中都可以设定能够光电转换的波长带域。

根据本公开一个实施例的一种摄像器件包括上述的根据本公开一个实施例的光接收器件。

根据本公开一个实施例的一种电子设备包括上述的根据本公开一个实施例的摄像器件。

在根据本公开各个实施例的光接收器件、光接收器件制造方法、摄像器件和电子设备中，第一光电转换层和第二光电转换层包括彼此不同的无机半导体材料，从而使得可以改变第一光电转换层和第二光电转换层的能够光电转换的波长带域。这使得能够在宽的波长带域中进行光电转换。

应该注意的是，上述内容是说明性的。通过本公开实现的效果不限于上述效果，并且可以是除了上述效果之外的效果，或者除了包括上述效果之外还可以包括其他效果。

附图说明

图1是根据本公开的实施例的光接收器件的构造的截面图。

图2A是用于说明图1所示的光接收器件的制造方法的一个工序的截面图。

图2B是图2A之后的工序的截面图。

图2C是图2B之后的工序的截面图。

图2D是图2C之后的工序的截面图。

图2E是图2D之后的工序的截面图。

图3A是图2E之后的工序的截面图。